[发明专利]感应式角度和/或位置传感器在审
| 申请号: | 202011502866.4 | 申请日: | 2020-12-18 |
| 公开(公告)号: | CN113008121A | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
| 发明(设计)人: | U·奥塞勒克纳;T·米勒;H·托伊斯 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号: | G01B7/02 | 分类号: | G01B7/02;G01B7/30 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 闫昊 |
| 地址: | 德国诺伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 感应 角度 位置 传感器 | ||
1.一种感应式角度和/或位置传感器(100),具有:
第一传感器部件(110)和能相对于所述第一传感器部件运动的第二传感器部件(120),
其中,所述第一传感器部件(110)具有励磁线圈(111)和带有两个或更多单独的接收线圈(112A,112B)的接收线圈装置(112),并且其中所述第二传感器部件(120)具有感应靶标(121),
其中,所述励磁线圈(111)能被用交流电流(I1)激励,以便在所述感应靶标(121)中感应出感应电流,并且其中所述感应靶标(121)被设计为响应于所述感应电流而产生磁场,所述磁场又在所述接收线圈装置(112)中产生感应信号(S1),
其中,所述第一传感器部件(110)具有带有集成电路的半导体芯片(113),所述集成电路被设计为基于所述感应信号(S1)确定所述第二传感器部件(120)相对于所述第一传感器部件(110)的位置,以及
壳体(114),在所述壳体中布置有所述半导体芯片(113),
其中,所述接收线圈装置(112)的所述单独的接收线圈(112A,112B)设计在至少两个彼此间隔开的结构化金属化层(200A,200B)中,所述至少两个彼此间隔开的结构化金属化层布置在所述壳体(114)的内部和/或在外部布置在所述壳体(114)的外表面(114a,114b)上。
2.根据权利要求1所述的感应式角度和/或位置传感器(100),
其中,所述半导体芯片(113)具有集成并布置在不同平面中的多个芯片金属化层(200A,200B),以及
其中,所述至少两个彼此间隔开的结构化金属化层中的至少一个结构化金属化层中设计有所述接收线圈(112A,112B),该至少一个结构化金属化层以所述芯片金属化层(200A,200B)中的至少一个芯片金属化层的形式设计。
3.根据权利要求1或2中任一项所述的感应式角度和/或位置传感器(100),
其中所述半导体芯片(113)具有第一芯片表面(113a)和相对置的第二芯片表面(113b),
其中,在所述第一芯片表面(113a)上布置有用于与所述半导体芯片(113)电接触的接触部段(210),以及
其中,所述至少两个彼此间隔开的结构化金属化层中的至少一个结构化金属化层中设计有所述接收线圈(112A,112B),该至少一个结构化金属化层布置在所述壳体(114)的内部并且布置在所述第二芯片表面(113b)上。
4.根据权利要求3所述的感应式角度和/或位置传感器(100),
其中,所述至少两个彼此间隔开的结构化金属化层中的至少一个结构化金属化层中设计有所述接收线圈(112A,112B),该至少一个结构化金属化层借助于芯片镀通孔(204)与所述第一芯片表面(113a)上的所述接触部段(210)中的至少一个接触部段电连接,所述芯片镀通孔在所述第一芯片表面(113a)与所述第二芯片表面(113b)之间延伸通过所述半导体芯片(113)。
5.根据权利要求3或4所述的感应式角度和/或位置传感器(100),
其中,所述至少两个彼此间隔开的结构化金属化层中的至少一个结构化金属化层中设计有所述接收线圈(112A,112B),该至少一个结构化金属化层借助于侧向地在横向芯片外轮廓(113c)上延伸的导电结构(205)与所述第一芯片表面(113a)上的所述接触部段(210)中的至少一个接触部段电连接。
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