[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一器件晶圆，包括多个器件区以及位于所述器件区之间的切割道区；

形成第一沟槽于所述切割道区中；

填充光刻胶层于所述第一沟槽中，且所述光刻胶层覆盖所述器件晶圆；

执行曝光和显影工艺，以在所述第一沟槽上的光刻胶层中形成第一开口，且在所述器件区上的光刻胶层中形成第二开口，所述第一开口的底部保留部分厚度的光刻胶层，所述第二开口暴露出所述器件区的器件晶圆的顶表面；以及，

执行刻蚀工艺，以去除所述第一开口的底部保留的光刻胶层，并在所述第一开口的底部的器件晶圆中形成第二沟槽，在所述第二开口的底部的器件晶圆中形成第三沟槽，所述第二沟槽的深度小于所述第三沟槽的深度。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一沟槽上的光刻胶层的顶表面与所述器件区上的光刻胶层的顶表面齐平或接近齐平。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在执行曝光工艺时，聚焦深度大于所述器件区上的光刻胶层的厚度且小于所述第一沟槽的底壁上的光刻胶层的厚度。

4.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一开口的底部保留的光刻胶层的厚度为所述第一沟槽的底壁上的光刻胶层的厚度减去所述聚焦深度。

5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，若所述切割道区上的光刻胶层的顶表面与所述器件区上的光刻胶层的顶表面齐平，则所述第一沟槽的底壁上的光刻胶层的厚度等于所述第一沟槽中的光刻胶层的厚度与所述器件区上的光刻胶层的厚度之和。

6.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在执行刻蚀工艺时，对所述第一开口的底部保留的光刻胶层的刻蚀速率与对所述器件晶圆的刻蚀速率相等或接近相等。

7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，执行刻蚀工艺的时间t＝D/v1，所述第二沟槽的深度d＝v1*(t-n/v2)，其中，D为所述第三沟槽的深度，v1为对所述器件晶圆的刻蚀速率，n为所述第一开口的底部保留的光刻胶层的厚度，v2为对所述第一开口的底部保留的光刻胶层的刻蚀速率。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第二沟槽和所述第三沟槽为台阶沟槽或通孔。

9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件的制造方法还包括填充金属层于所述第二沟槽和所述第三沟槽中。

10.如权利要求1～9中任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在形成所述第一沟槽于所述切割道区中之前，所述半导体器件的制造方法还包括：提供一承载晶圆，通过一键合层将所述器件晶圆键合于所述承载晶圆上，所述第一沟槽位于所述器件晶圆的远离所述承载晶圆的一面上。

11.一种半导体器件，其特征在于，采用如权利要求1～10中任一项所述的半导体器件的制造方法制造。