[发明专利]一种具有POI结构的兰姆波谐振器

权利要求书

1.一种具有POI结构的兰姆波谐振器，所述兰姆波谐振器包括：

高声速材料衬底；以及

位于所述高声速材料衬底上方的压电层，所述压电层的上表面和下表面上分别设置有第一和第二叉指换能器，其中所述第一和第二叉指换能器的叉指电极隔着所述压电层在层叠方向上彼此相对，且具有相同的电极宽度、电极厚度、电极间距、占空比η以及激发声波波长λ，其中

占空比η＝电极宽度÷(电极宽度+电极间距)，

所述压电层的材料为切角为θ的YX-LiNbO₃，并且

其中所述切角θ和所述占空比η的取值分别为：30°≤θ≤60°，并且η＝0.2、0.4－0.6或0.8－0.9。

2.如权利要求1所述的兰姆波谐振器，其特征在于，所述切角θ和所述占空比η的取值分别为以下组合中的一种：

30°≤θ≤45°，η＝0.2、0.4－0.6或0.8－0.9；

θ＝50°，η＝0.2、0.4－0.6或0.9；

50°θ≤55°，η＝0.2、0.4－0.5或0.9；以及

55°θ≤60°，η＝0.2或0.4－0.6。

3.如权利要求1所述的兰姆波谐振器，其特征在于，所述切角θ和所述占空比η的取值分别为以下组合中的一种：

θ＝30°，η＝0.2或0.9；

θ＝35°，η＝0.4、0.6或0.9；

θ＝40°，η＝0.2；

θ＝45°，η＝0.6；

θ＝50°，η＝0.5；

θ＝55°，η＝0.8；以及

θ＝60°，η＝0.2或0.4。

4.如权利要求1所述的兰姆波谐振器，其特征在于，所述切角θ和所述占空比η的取值分别为：

30°≤θ≤60°，η＝0.4。

5.如权利要求1所述的兰姆波谐振器，其特征在于，所述高声速材料为4H-SiC或6H-SiC。

6.如权利要求1所述的兰姆波谐振器，其特征在于，所述兰姆波谐振器进一步包括：设置在所述高声速材料衬底和所述压电层之间的低声速材料介质层。

7.如权利要求6所述的兰姆波谐振器，其特征在于，所述低声速材料为SiO₂，厚度为0.075λ－0.1λ。

8.如权利要求1所述的兰姆波谐振器，其特征在于，所述波长λ为2μm。

9.如权利要求1所述的兰姆波谐振器，其特征在于，所述高声速材料衬底的厚度为5λ，并且所述压电层的厚度为0.6λ。

10.如权利要求1所述的兰姆波谐振器，其特征在于，所述电极宽度为0.5λ*η，所述电极间距为0.5λ*(1-η)，并且所述电极厚度为200nm。