[发明专利]倒置QLED器件、显示装置及制备方法

权利要求书

1.一种倒置QLED器件，其特征在于，包括依次层叠的电子功能层、电子调制层和量子点发光层，所述电子功能层用于注入和/或传输电子，所述电子功能层包括第一电子材料，所述电子调制层包括第二电子材料，所述第一电子材料和所述第二电子材料均为n型金属氧化物，所述第二电子材料的氧空位浓度低于所述第一电子材料的氧空位浓度。

2.如权利要求1所述的倒置QLED器件，其特征在于，所述第一电子材料为ZnO、SnO₂、In₂O₃-ZnO、MgO-ZnO或Al₂O₃-ZnO，所述第二电子材料为ZrO₂、HfO₂、Ta₂O₅、Nb₂O₅、GeO₂或B₂O₃。

3.如权利要求1所述的倒置QLED器件，其特征在于，所述第二电子材料的氧空位浓度小于10¹⁴cm^-3。

4.如权利要求1所述的倒置QLED器件，其特征在于，所述电子功能层通过磁控溅射制备得到。

5.如权利要求1所述的倒置QLED器件，其特征在于，所述电子调制层还包括第一电子材料，所述电子调制层中的所述第一电子材料和所述第二电子材料的摩尔比为1:99～99:1。

6.如权利要求1所述的倒置QLED器件，其特征在于，所述电子功能层的厚度为10～200nm，所述电子调制层的厚度为5～50nm。

7.如权利要求1所述的倒置QLED器件，其特征在于，所述量子点发光层的量子点为CdSe/ZnSe、CdSe/CdS、CdSe/CdS/ZnS、ZnCdSeS、ZnCdSeS/ZnS、ZnCdS/ZnS或ZnSe/ZnS。

8.如权利要求1所述的倒置QLED器件，其特征在于，所述倒置QLED器件还包括基板、阴极、空穴传输层、空穴注入层和阳极，所述基板、阴极、电子功能层、电子调制层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极依次层叠设置，所述空穴传输层的材料为CDBP、mCBP、CBP、mCP、TCTA、TAPC、NPB或α-NPD，所述空穴注入层的材料为HAT-CN、F₄-TCNQ、MoO₃、V₂O₅、WO₃或ReO₃。

9.一种倒置QLED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

采用磁控溅射法将第一电子材料沉积至阴极，形成电子功能层；

将第二电子材料沉积至所述电子功能层，形成电子调制层；

在所述电子调制层上沉积量子点发光层；

其中，所述第一电子材料和所述第二电子材料均为n型金属氧化物，所述第二电子材料的氧空位浓度低于所述第一电子材料的氧空位浓度。

10.一种显示设备，其特征在于，包括如权利要求1～8中任一项所述的倒置QLED器件或如权利要求9所述的方法制备的倒置QLED器件。