[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法

说明书

本发明公开了发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。在n型GaN层与多量子阱层之间增加了SiO₂调节层，SiO₂调节层包括在n型GaN层的表面间隔分布的多个SiO₂调节柱，将位于n型GaN层的表面的圆心的SiO₂调节柱的高度，均设置为低于位于n型GaN层的表面的边缘的SiO₂调节柱的高度，可以促使多量子阱在生长时，在n型GaN层的表面的圆心附近区域与n型GaN层的表面的边缘附近区域形成生长时间差，由此抵消温度差带来的边缘附近区域与圆心附近区域会形成的厚度差，使得多量子阱层整体生长的厚度更为均匀，进而提高发光二极管的发光均匀度。

技术领域

本发明涉及发光二极管制作领域，特别涉及发光二极管外延片及其制备方法。

背景技术

LED(英文：Light Emitting Diode，中文：发光二极管)，发光二极管是一种能发光的半导体电子元件。作为一种高效、环保、绿色新型固态照明光源，正在被迅速广泛地得到应用，如交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源等，提高芯片发光效率是LED不断追求的目标。

发光二极管外延片在制备时，需要将衬底放置在托盘的凹槽内，托盘的表面的边缘与底部受热升温，反应气体与反应金属源在衬底上表面沉积生长，得到依次层叠在衬底上的n型GaN层、多量子阱层与p型GaN层。n型GaN层、多量子阱层与p型GaN层需要较高的生长温度，而在高温情况下，衬底的与热源直接接触的表面的边缘与需要热量传递时间的衬底表面的圆心之间，容易出现温度不均而进一步导致衬底上的高温区域快速生长，而低温区域生长较慢的情况，导致最终得到的发光二极管外延片的表面的边缘与表面的圆心的不均匀度较高，影响发光二极管外延片的发光均匀度。

发明内容

本公开实施例提供了发光二极管外延片及其制备方法，能够提高发光二极管外延片的均匀度以提高发光二极管外延片的发光均匀度，以提高发光二极管的发光均匀度。所述技术方案如下：

本公开实施例提供了一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的n型GaN层、SiO₂调节层、多量子阱层与p型GaN层，

所述SiO₂调节层包括在所述n型GaN层的表面间隔分布的多个SiO₂调节柱，且位于所述n型GaN层的表面的圆心的所述SiO₂调节柱的高度，低于位于所述n型GaN层的表面的边缘的所述SiO₂调节柱的高度，

其中，位于所述n型GaN层的表面的圆心的所述SiO₂调节柱，为圆心与所述n型GaN层的表面的圆心重合的SiO₂调节柱，所述SiO₂调节柱的圆心为所述SiO₂调节柱与所述n型GaN层的表面相接触的端面的圆心；位于所述n型GaN层的表面的边缘的所述SiO₂调节柱，为侧壁与所述n型GaN层的表面的边缘之间的最小距离为2～5um的SiO₂调节柱。

可选地，位于所述n型GaN层的表面的边缘的所述SiO₂调节柱的高度，与位于所述n型GaN层的表面的圆心的所述SiO₂调节柱的高度之差为45nm。

可选地，所述多个SiO₂调节柱的高度均位于15～60nm。

可选地，所述多个SiO₂调节柱的圆心在所述n型GaN层的表面等距离间隔分布，且在所述n型GaN层的表面的径向上，所述SiO₂调节柱的高度由所述n型GaN层的表面的圆心至n型GaN层的表面的边缘梯度增加。