[发明专利]空间光调制器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202011499623.X 申请日: 2020-12-17
公开(公告)号: CN112596281B 公开(公告)日: 2022-12-23
发明(设计)人: 田立飞;李智勇 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: G02F1/01 分类号: G02F1/01
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 鄢功军
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 空间 调制器 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种空间光调制器,其特征在于,包括:

反射层,用于对入射波进行反射;

调制层,设置在所述反射层上,所述调制层的光学性质可调节,包括像素调制单元;

电极层,设置在所述调制层上,包括调制电极,所述调制电极设置在所述像素调制单元上,所述调制电极通过改变施加在所述像素调制单元的电压完成改变调制层的光学性质;

公共电极焊盘,通过引出电极与所述调制电极连接;

像素电极焊盘,通过引出电极与所述调制电极连接;

其中,所述公共电极焊盘与外接电源的负极连接,所述像素电极焊盘与外接电源的正极连接;或者,

所述公共电极焊盘与外接电源的正极连接,所述像素电极焊盘与外接电源的负极连接。

2.根据权利要求1所述的空间光调制器,其特征在于,所述调制电极的数量为多个,多个所述调制电极呈阵列排布在所述电极层上。

3.根据权利要求1所述的空间光调制器,其特征在于,所述反射层包括至少两层分层,每层所述分层的折射率均不同;所述反射层材质包括以下之一:导体、半导体或绝缘体。

4.根据权利要求3所述的空间光调制器,其特征在于,所述反射层的层数为偶数层,层数编号为奇数的分层的材质为SiO2,厚度为240nm的正整数倍,折射率为1.5;层数编号为偶数的分层的材质为Ta2O5,厚度为190nm的正整数倍,折射率为2.0。

5.根据权利要求1所述的空间光调制器,其特征在于,所述调制层的材质包括以下之一:热光材料、电光材料、声光材料或磁光材料。

6.根据权利要求1-5任一所述的空间光调制器,其特征在于,所述电极层的材质包括以下之一或组合:金属、合金和透明导电氧化物。

7.一种空间光调制器的制备方法,其特征在于,包括:

在衬底层上制备反射层;

在反射层上制备调制层,将所述调制层进行图形化制备像素调制单元;

在所述调制层上制备电极层,将所述电极层进行图形化制备调制电极、引出电极、公共电极焊盘和像素电极焊盘;

在所述电极层上制备绝缘层,将所述绝缘层进行图形化;

其中,所述调制电极设置在所述像素调制单元上,所述公共电极焊盘与外接电源的负极连接,所述像素电极焊盘与外接电源的正极连接;或者,

所述公共电极焊盘与外接电源的正极连接,所述像素电极焊盘与外接电源的负极连接。

8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,将所述调制层进行图形化之前还包括,将所述调制层的下表面进行减薄和抛光,将所述反射层的上表面和所述调制层的下表面进行键合。

9.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,制备所述反射层、制备所述调制层、制备所述电极层和制备所述绝缘层包括物理法或化学法;所述物理法包括以下之一:磁控溅射法、离子束溅射法、电子束蒸发法、热蒸发法或分子束外延法;所述化学法包括以下之一:化学气相沉积法、电化学法、溶胶凝胶法或水热法。

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