[发明专利]YAG晶片的研磨加工方法

说明书

本发明提供了一种YAG晶片的研磨加工方法，包括S1：提供平面研磨机，提供YAG晶片，设定所述YAG晶片具有A面和B面，对A面进行研磨，研磨过程中滴加一号研磨液；S2：对B面进行研磨，研磨过程中滴加一号研磨液；S3：继续对B面进行研磨，研磨过程中低价二号研磨液；S4：对A面进行研磨，研磨过程中滴加二号研磨液；S5：将金刚石固结磨粒盘固定在研磨盘上，对A面进行研磨，在研磨过程中不间断注入去离子水；S6：对B面进行研磨，在研磨过程中不间断注入去离子水；S7：超声清洗晶片；S8：将晶片放入退火炉中。本发明的YAG晶片的研磨加工方法，采用游离磨料和固结磨料依次对YAG晶片进行研磨，材料去除率高、晶片面型精度高、表面损伤小。

技术领域

本发明涉及一种YAG晶片的研磨加工方法。

背景技术

YAG材料具有优异的光学性能，被广泛运用于激光武器、激光工业、激光医疗中，现代激光技术发展对于YAG材料的加工质量也提出了更高的要求。

YAG晶片研磨加工属于硬脆材料超精密加工技术，目前对YAG的研磨加工技术包括双面行星研磨技术、单面游离磨料研磨技术，其中双面行星研磨技术，加工效率高，当晶片厚度更薄时，行星架制造有难度，强度不够，不适合超薄晶片的加工；单面游离磨料技术，加工效率较高，但是磨料利用率低下，加工后晶体表面易产生较深磨痕和亚表面损伤，晶片面形精度也较差。

有鉴于此，有必要对现有的YAG晶片的研磨加工方法予以改进，以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种YAG晶片的研磨加工方法，以解决现有。

为实现上述目的，一种YAG晶片的研磨加工方法，其特征在于：所述YAG晶片的研磨加工方法包括如下步骤：

S1：提供平面研磨机，提供YAG晶片，设定所述YAG晶片具有A面和B面，用石蜡将B面粘贴在载物盘上，对A面进行研磨，研磨过程中滴加一号研磨液；

S2：将YAG晶片取下，用石蜡将A面粘贴在载物盘上，对B面进行研磨，研磨过程中滴加一号研磨液；

S3：继续对B面进行研磨，研磨过程中低价二号研磨液；

S4：将YAG晶片取下，用石蜡将B面粘贴在载物盘上，对A面进行研磨，研磨过程中滴加二号研磨液；

S5：将金刚石固结磨粒盘固定在研磨盘上，对A面进行研磨，在研磨过程中不间断注入去离子水；

S6：将YAG晶片取下，用石蜡将A面粘贴在载物盘上，对B面进行研磨，在研磨过程中不间断注入去离子水；

S7：超声清洗晶片，清洗液为去离子水，清洗时间为30min；

S8：将晶片放入退火炉中，然后以70℃/h的升温速度将退火炉升温至1100℃，保温36h,然后以50℃/h的降温速度将退火炉降至室温。

作为本发明的进一步改进，步骤S1和步骤S2中一号研磨液包括：磨粒、去离子水、添加剂，其中磨粒为碳化硼、碳化硅中的任意一种，粒度为10～14μm，含量为6wt％；添加剂为分散剂SDS、SDBS中的一种，含量为0.4wt％，保湿剂为丙三醇，三乙醇胺中的一种，含量为0.4wt％。

作为本发明的进一步改进，步骤S1和步骤S2中研磨压力为0.4MPa，旋转速度为60～80r/min。

作为本发明的进一步改进，步骤S1和步骤S2中研磨液流量为6～9ml/min，研磨时间为15min。

作为本发明的进一步改进，步骤S3和步骤S4中二号研磨液包括：磨粒、去离子水、添加剂，其中磨粒为氧化铝，粒度为1～3μm，含量为6wt％；添加剂为络合物甘氨酸、壳寡糖中的一种，含量为0.3wt％。