[发明专利]磁性存储介质的数据处理方法、系统及装置在审
| 申请号: | 202011497059.8 | 申请日: | 2020-12-17 |
| 公开(公告)号: | CN112581995A | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
| 发明(设计)人: | 王于波;赵东艳;邵瑾;陈燕宁;曹凯华;付振;潘成;刘芳;袁远东 | 申请(专利权)人: | 北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司;北京航空航天大学 |
| 主分类号: | G11C11/16 | 分类号: | G11C11/16 |
| 代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 肖冰滨;王晓晓 |
| 地址: | 100192 北京市海淀区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 磁性 存储 介质 数据处理 方法 系统 装置 | ||
本发明提供一种磁性存储介质的数据处理方法、系统及装置,属于芯片技术领域。所述方法包括:获取磁性存储介质的设定位置处的磁感应强度;在确定所述磁感应强度小于等于配置的磁感应强度阈值时,保持所述磁性存储介质的工作状态;在确定所述磁感应强度大于所述磁感应强度阈值时,备份所述磁性存储介质中的存储数据至备用存储介质,其中,所述备用存储介质的磁场屏蔽值大于所述磁性存储介质的磁场屏蔽值。本发明可用于智能电表中磁性存储介质的数据防护。
技术领域
本发明涉及芯片技术领域,具体地涉及一种磁性存储介质的数据处理方法、一种磁性存储介质的数据存取方法、一种磁性存储介质的数据处理系统、一种磁性存储介质的数据处理装置、一种电子设备、一种智能电表和一种计算机可读存储介质。
背景技术
近年来,芯片产业备受全球关注,逐渐成为衡量一个国家产业竞争力和综合国力的重要标志性产业,而存储器是芯片其中一个非常重要的模块,用来存储芯片产生的数据。在智能电表中,存储器主要用来读写和存储智能电表产生的数据,起非常重要的作用。最新型的存储器采用磁性随机存取存储器(Magnetic Random Access Memory,MRAM,通常可以是磁阻式随机存取存储器Magnetoresistive Random Access Memory),MRAM具有非易失性、读写速度快、基本上可以无限次地重复写入、可以与SRAM/DRAM一样快速随机读写、与快闪存储器(FlashMemory,可简称闪存或Flash)一样在断电后永久保留数据等优点,目前已经应用在芯片中用来存储数据。MRAM是在集成硅电路的磁性材料中进行信息存储的,周围的磁场会对芯片产生影响,因此,当外来磁场接近MRAM时会对其数据存储性能产生一定影响,当外来磁感应强度过高时,甚至会使MRAM失效。而磁场在日常技术中的使用和产生非常普遍,在磁体周围、运动电荷周围以及电流周围空间都存在磁场,比如手机和收音机扬声器、电气传输线、磁盘驱动器、电机、电视、家用电器以及磁共振成像医疗设备。因此,在日常应用中,MRAM接触外来磁场是不可避免的。
针对这个问题,可以通常在MRAM内置磁场屏蔽层,用来屏蔽一定强度的外来磁场,以确保其在一定强度的磁场环境下能安全工作。例如,MRAM著名的生产厂家Everspin,其生产的MRAM可承受200Gauss(高斯)的磁感应强度。一般情况下,智能电表的外加金属防护壳可使电表承受2000Gauss的磁感应强度。当MRAM应用在智能电表中时,整体即可屏蔽2000Gauss的外来磁场,即在低于2000Gauss的磁场环境中MRAM可正常工作,而对于高于这个强度的磁场环境,就需要寻求新的方案,以避免高强度磁场对MRAM造成影响。
发明内容
本发明的目的是提供一种磁性存储介质的数据处理方法、系统及装置,避免磁性存储介质因复杂的磁场环境或环境磁场干扰而导致的存储数据失效或缺损,进而改善磁性存储介质的电力环境下可用性和存储数据完整性。
为了实现上述目的,本发明实施例提供一种磁性存储介质的数据处理方法,该数据处理方法包括:
获取磁性存储介质的设定位置处的磁感应强度;
在确定所述磁感应强度小于等于配置的磁感应强度阈值时,保持所述磁性存储介质的工作状态;
在确定所述磁感应强度大于所述磁感应强度阈值时,备份所述磁性存储介质中的存储数据至备用存储介质,其中,所述备用存储介质的磁场屏蔽值大于所述磁性存储介质的磁场屏蔽值。
具体的,在所述在确定所述磁感应强度大于所述磁感应强度阈值时,备份所述磁性存储介质中的存储数据至备用存储介质之后,该数据处理方法还包括:
转换所述磁性存储介质的工作状态为断电保护状态。
具体的,该数据处理方法还包括:
确定所述磁性存储介质处于所述断电保护状态,再获取所述磁性存储介质的设定位置处的磁感应强度;
确定再获取的磁感应强度小于等于所述磁感应强度阈值;
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