[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体基底，所述半导体基底内形成有第一金属结构；

依次堆叠键合在所述半导体基底上的至少一个半导体结构，所述半导体结构包括至少一个半导体芯片，并且在每个所述半导体芯片的外围设置有环绕所述半导体芯片的绝缘层；

至少一个子导热结构，形成在所述绝缘层中以用于构成在键合方向上连续延伸的导热结构，并使所述导热结构的一端与所述第一金属结构连接，所述导热结构的另一端从最外层的绝缘层中延伸出。

2.如权利要求1所述的半导体器件其特征在于，所述半导体器件包括至少两个半导体结构，以及围绕在所述半导体芯片外围的至少两层绝缘层依次堆叠设置，位于不同所述绝缘层内的所述子导热结构彼此连接以形成所述导热结构。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，相邻的两层绝缘层之间形成有第三键合互连层，所述第三键合互连层内形成有第三金属结构，所述第三金属结构连接位于相邻的两个绝缘层中的子导热结构，以构成连续延伸的导热结构。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体基底包括第一衬底和形成在所述第一衬底上的第一键合互连层，所述第一金属结构形成在所述第一键合互连层内。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体芯片包括第二衬底和形成在所述第二衬底上的第二键合互连层，所述第二键合互连层内形成有第二金属结构，所述第二键合互连层与所述第一键合互连层键合，所述第二金属结构通过所述第一金属结构与所述导热结构连接。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，位于不同绝缘层内的所述子导热结构在所述半导体基底上的投影重叠。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述子导热结构呈环形并环绕所述半导体芯片。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述子导热结构间断环绕所述半导体芯片。

9.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体芯片的外围同心环绕多个所述子导热结构，并且多个所述子导热结构等间距间隔设置。

10.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述子导热结构具有图案化图形。

11.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括散热结构，所述散热结构位于最外层所述绝缘层上，并与所述导热结构连接。

12.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，形成所述子导热结构的材料包括金属。

13.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半导体基底和至少一个半导体结构，其中，所述半导体基底中形成有第一金属结构，所述半导体结构包括至少一个半导体芯片；

将至少一个所述半导体结构依次堆叠键合在所述半导体基底上，并在所述半导体芯片外围形成绝缘层，以及在所述绝缘层内形成至少一个子导热结构，所述子导热结构用于构成在键合方向上连续延伸的导热结构，并使所述导热结构的一端与所述第一金属结构连接，所述导热结构的另一端从最外层的绝缘层中延伸出。

14.如权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，若提供的所述半导体结构至少为两个，则所述方法还包括：使围绕在所述至少两个半导体芯片外围的至少两层绝缘层依次堆叠设置，并使位于不同所述绝缘层内的所述子导热结构彼此连接以形成所述导热结构。