[发明专利]微发光二极管芯片的转移方法、显示面板及其制作方法有效
| 申请号: | 202011492740.3 | 申请日: | 2020-12-16 |
| 公开(公告)号: | CN112599459B | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
| 发明(设计)人: | 俞洋 | 申请(专利权)人: | 福州京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L25/075 |
| 代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人: | 王刚 |
| 地址: | 350300 福建省*** | 国省代码: | 福建;35 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光二极管 芯片 转移 方法 显示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一种微发光二极管芯片的转移方法,其特征在于,包括:
提供悬浮液,所述悬浮液中分布有微发光二极管芯片,所述微发光二极管芯片包括依次层叠设置的芯片衬底、半导体层和封装层;所述微发光二极管芯片带有磁性,其中,所述芯片衬底带有磁性,所述芯片衬底设置有磁性膜层,或,所述芯片衬底内掺杂有磁性颗粒;
提供显示基板,并通过构图工艺在所述显示基板上形成带有凹槽的辅助层,所述凹槽内设置有芯片焊点,其中,所述芯片焊点的焊接的部位是所述芯片衬底上的金属焊点;
将所述显示基板浸于所述悬浮液内,并向所述悬浮液施加第一磁场,使所述微发光二极管芯片在所述第一磁场作用下朝所述显示基板移动并进入所述凹槽;在所述第一磁场的作用下于所述悬浮液中移动时,所述微发光二极管芯片能够逐渐的调整其姿态,使得其芯片衬底朝向所述显示基板,以使所述微发光二极管芯片在进入所述凹槽后,其用于焊接的部位能够朝向所述凹槽内的芯片焊点;
保证施加的所述第一磁场不变,使所述凹槽内的微发光二极管芯片保持收到磁场力的作用,并将所述悬浮液排出,待所述悬浮液全部排空后,再将所述显示基板取出,防止所述凹槽内的微发光二极管芯片脱出;
取出所述显示基板,并通过电磁脉冲焊接将所述微发光二极管芯片焊接至所述芯片焊点,包括:将所述凹槽中容置有所述微发光二极管芯片的显示基板置于一电磁线圈的作用范围内,控制所述电磁线圈通电,所述电磁线圈中的瞬时电流产生相应的瞬时磁场,在所述瞬时磁场作用下,所述微发光二极管芯片的芯片衬底上用于焊接的金属焊点产生感应电流,所述感应电流产生方向与所述瞬时磁场的方向相反,由于磁场的互斥,使所述微发光二极管芯片具有朝向所述凹槽内的芯片焊点方向的动能,瞬间高速与所述芯片焊点碰撞,形成稳定的结合;
清洗所述显示基板;向所述显示基板施加与所述第一磁场反向的第二磁场,使所述辅助层上所述凹槽以外的位置处粘附的所述微发光二极管芯片脱离;其中,所述将所述显示基板浸于所述悬浮液内,具体包括:通过隔离板承载所述显示基板并浸于所述悬浮液内,并通过隔离板将所述微发光二极管芯片阻挡在所述显示基板设置所述辅助层的一侧,以使所述显示基板未设置所述凹槽的一侧与所述隔离板接触,且使所述悬浮液内的所述微发光二极管芯片均相应的处于所述显示基板设置所述凹槽的一侧,以及使所述悬浮液内的所述微发光二极管芯片被相应的阻挡在所述显示基板设置所述凹槽的一侧。
2.根据权利要求1所述的转移方法,其特征在于,所述向所述悬浮液施加磁场,之后还包括:
缓慢搅动所述悬浮液。
3.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
提供显示基板;
采用如权利要求1至2任意一项所述的微发光二极管芯片的转移方法,将红绿蓝三种微发光二极管芯片,按照预设的颜色转移顺序转移至所述显示基板。
4.根据权利要求3所述的制作方法,其特征在于,所述按照预设的颜色转移顺序转移至所述显示基板,之后还包括:
通过剥离工艺去除所述辅助层。
5.一种显示面板,其特征在于,根据权利要求3或4所述的显示面板的制作方法制得。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福州京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司,未经福州京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011492740.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





