[发明专利]一种疏水高分子膜负载蒸镀金属气体扩散电极、制备方法及其应用在审
| 申请号： | 202011492413.8 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN112647090A | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 杨化桂;曹琳;刘鹏飞;程军;吴雪枫;毛芳欣;袁海洋;杨晓华 | 申请（专利权）人： | 华东理工大学 |
| 主分类号： | C25B11/032 | 分类号： | C25B11/032;C25B11/075;C23C14/20;C23C14/24;C25B3/26;C25B3/03;C25B3/07 |
| 代理公司： | 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 | 代理人： | 顾兰芳 |
| 地址： | 200237 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 疏水 高分子 负载 镀金 气体 扩散 电极 制备 方法 及其 应用 | ||
1.一种疏水高分子膜负载蒸镀金属气体扩散电极的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：
疏水高分子膜的表面用氮气或氩气吹扫干净；在疏水高分子膜上蒸镀一层厚度为1-1000nm的金属。
2.根据权利要求1所述的疏水高分子膜负载蒸镀金属气体扩散电极的制备方法，其特征在于，所述在疏水高分子膜上蒸镀一层厚度为100-900nm的金属优选厚度为300-800nm的金属；更优选厚度为500-700nm的金属。
3.根据权利要求2所述的疏水高分子膜负载蒸镀金属气体扩散电极的制备方法，其特征在于，所述在疏水高分子膜上蒸镀一层厚度为600nm的金属。
4.根据权利要求1所述的疏水高分子膜负载蒸镀金属气体扩散电极的制备方法，其特征在于，所述疏水高分子膜孔径为0.1-1μm；优选孔径为0.3-0.8μm，更优选孔径为0.4-0.6μm，最优选孔径为0.45μm。
5.根据权利要求1所述的疏水高分子膜负载蒸镀金属气体扩散电极的制备方法，其特征在于，所述疏水高分子膜是聚四氟乙烯。
6.根据权利要求1所述的疏水高分子膜负载蒸镀金属气体扩散电极的制备方法，其特征在于，所述疏水高分子膜中还有支撑材料，所述支撑材料是聚丙烯或聚对苯二甲酸乙二醇酯。
7.根据权利要求1所述的疏水高分子膜负载蒸镀金属气体扩散电极的制备方法，其特征在于，所述金属材料是铜、银、金或锌。
8.根据权利要求1所述的疏水高分子膜负载蒸镀金属气体扩散电极的制备方法，其特征在于，蒸镀时的真空度为6×10-4-1×10-5Pa，蒸镀速率为
9.一种根据权利要求1至8任意一项制备方法得到的疏水高分子膜负载蒸镀金属气体扩散电极。
10.根据权利要求9所述的疏水高分子膜负载蒸镀金属气体扩散电极，应用于电化学还原二氧化碳领域。
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