[发明专利]用于处理电路版图的方法、设备和存储介质

权利要求书

1.一种处理电路版图的方法，包括：生成用于对所述电路版图执行光学邻近校正的多个子作业，每个子作业对应于所述电路版图的一个版图单元，并且指定要对所述版图单元执行的用于光学邻近校正的一个或多个操作；基于多个处理设备的配置信息和所述一个或多个操作的复杂度，将所述多个子作业分配给所述多个处理设备，所述多个处理设备中的至少一个处理设备被配置有加速处理资源；以及基于所述多个处理设备对所述多个子作业处理的结果，确定经过光学邻近校正的电路版图；

其中基于多个处理设备的所述配置信息和所述一个或多个操作的复杂度，将所述多个子作业分配给所述多个处理设备包括：基于所述多个处理设备的所述配置信息，从所述多个处理设备中确定多对处理设备，每对处理设备包括未被配置有所述加速处理资源的第一处理设备和被配置有所述加速处理资源的第二处理设备；以及所述一个或多个操作包括第一操作和第二操作，其中所述第一操作为具有第一复杂度的操作，所述第二操作为具有第二复杂度的操作，所述第二复杂度高于所述第一复杂度，则将所述每个子作业分配给所述多对处理设备中的相应的一对处理设备，使得所述第一操作由所述第一处理设备执行，并且所述第二操作由所述第二处理设备执行。

2.根据权利要求1所述的方法，其中基于多个处理设备的所述配置信息和所述一个或多个操作的复杂度，将所述多个子作业分配给所述多个处理设备包括：基于所述多个处理设备的所述配置信息，从所述多个处理设备中确定第一组处理设备和第二组处理设备，所述第一组处理设备为未被配置有所述加速处理资源的一组处理设备，所述第二组处理设备为被配置有所述加速处理资源的一组处理设备；所述多个子作业中的第一组子作业仅包括第一操作且不包括第二操作，其中，所述第一操作为具有第一复杂度的操作，所述第二操作为具有第二复杂度的操作，所述第二复杂度高于所述第一复杂度，则将所述第一组子作业分配给所述第一组处理设备；以及所述多个子作业中的第二组子作业仅包括所述第二操作而不包括所述第一操作，则将所述第二组子作业分配给所述第二组处理设备。

3.根据权利要求1或2所述的方法，还包括：基于所述第一操作的操作类型和/或计算量，确定所述第一复杂度；以及基于所述第二操作的操作类型和/或计算量，确定所述第二复杂度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中生成用于对所述电路版图执行光学邻近校正的所述多个子作业包括：针对所述多个子作业中的所述每个子作业，获得所述版图单元的几何图形信息，所述几何图形信息指示所述版图单元所包括的各个几何图形和几何图形组合之间的从属关系；基于所述几何图形信息，从所述几何图形组合中确定多个图案，每个图案包括根据所述几何图形信息属于该图案的至少一个几何图形；以及设置所述每个子作业以指定对所述多个图案分别执行所述一个或多个操作中用于改变所述至少一个几何图形的预定操作。

5.根据权利要求4所述的方法，其中设置所述每个子作业以指定对所述多个图案分别执行所述预定操作包括：确定所述多个图案中包括属于相同类型的一组图案，从所述一组图案中确定参考图案；设置所述每个子作业以指定：对所述参考图案执行所述预定操作，以获得对所述参考图案的处理结果；并且通过将所述处理结果应用于所述一组图案中除所述参考图案之外的其余图案，对所述其余图案执行所述预定操作。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个操作包括以下至少一项：用于改变所述版图单元中的几何图形的操作，对所述版图单元的光学模型仿真操作，对所述版图单元的蚀刻模型仿真操作，对所述版图单元的化学机械抛光仿真操作，对所述版图单元的卷积操作，或对所述版图单元的回归操作。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述加速处理资源被可移除地配置给所述至少一个处理设备。