[发明专利]一种应用于接触钝化电池的钝化结构及其制备方法

权利要求书

1.一种应用于接触钝化电池的钝化结构，其特征是，包括N型衬底（1）、设于所述N型衬底（1）正面的两个正电极（2）和设于所述N型衬底（1）背面的两个负电极（3），所述N型衬底（1）的背面设有SiO₂层（4），所述SiO₂层（4）上设有掺杂多晶SiO_xN_y层（5），SiO_xN_y层的厚度为120-140nm；

所述N型衬底（1）的背面由内向外依次设有SiO₂层（4）、掺杂多晶SiO_xN_y层（5）及SiN_x层（6）；

所述负电极（3）依次穿过所述SiN_x层（6）与部分厚度的掺杂多晶SiO_xN_y层（5），与掺杂多晶SiO_xN_y层（5）相接触。

2.根据权利要求1所述的一种应用于接触钝化电池的钝化结构，其特征是，所述N型衬底（1）的正面由内向外依次设有P+层（7）、AlO_x层（8）及SiN_x层（6）。

3.根据权利要求2所述的一种应用于接触钝化电池的钝化结构，其特征是，所述正电极（2）依次穿过SiN_x层（6）、AlO_x层（8），与P+层（7）接触。

4.一种如权利要求1-3任一所述的应用于接触钝化电池的钝化结构的制备方法，其特征是，包括如下制备步骤：

A、 采用N型单晶硅片，采用槽式双面制绒；

B、 对正面进行硼扩，控制表面浓度为1E+19-2E+19/cm³；

C、 采用酸去除背面BSG及进行背面刻蚀，然后清洗并保留正面BSG层，背面刻蚀后反射率＞32%；

D、 采用管式氧化，在硅片背面沉积一层1.4-1.6nm厚的SiO₂层，然后在气流下沉积SiO_xN_y层，同时进行原位掺杂，掺杂后方阻约20~40Ω/sq；

E、 然后将掺杂后的硅片进行正面去绕镀并在900-920℃环境中退火；

F、 在硅片正面沉积薄层AlO_x，并进行双面SiN_x层镀膜；

G、 进行丝网印刷，然后进行光退火，烧结测试，即完成电池片制备。

5.根据权利要求4所述的一种应用于接触钝化电池的钝化结构的制备方法，其特征是，步骤A中槽式双面制绒的减重重量为0.3-0.35g。

6.根据权利要求4所述的一种应用于接触钝化电池的钝化结构的制备方法，其特征是，步骤C中的酸为HF或HNO₃；背面刻蚀减重为0.2-0.5g。

7.根据权利要求4所述的一种应用于接触钝化电池的钝化结构的制备方法，其特征是，步骤D所述气流为NH₃、N₂O中的一个和SiH₄的混合气流，NH₃或N₂O与SiH₄的流量比值为0.2-5。