[发明专利]一种降低多壁碳纳米管结构缺陷的中子辐照处理方法有效
| 申请号： | 202011487962.6 | 申请日： | 2020-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN112456472B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 王娟;朱浩;刘洋 | 申请（专利权）人： | 西京学院 |
| 主分类号： | C01B32/168 | 分类号： | C01B32/168;C01B32/21 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 赵浩竹 |
| 地址： | 710100 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 多壁碳 纳米 结构 缺陷 中子 辐照 处理 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种降低多壁碳纳米管结构缺陷的中子辐照处理方法，其特征在于，该方法包含：
采用能量为14MeV的快中子射线，中子通量为1×108，中子辐照多壁碳纳米管，以降低多壁碳纳米管的结构缺陷；
所述辐照时间为60～120min。
2.根据权利要求1所述的降低多壁碳纳米管结构缺陷的中子辐照处理方法，其特征在于，所述中子辐照采用D-T中子管。
3.根据权利要求1所述的降低多壁碳纳米管结构缺陷的中子辐照处理方法，其特征在于，所述多壁碳纳米管包含：未修饰的多壁碳纳米管、羟基修饰的多壁碳纳米管、羧基修饰的多壁碳纳米管。
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