[发明专利]一种锂电池极低电SoC芯片自保护方法及设备

权利要求书

1.一种SoC芯片自保护方法，该SoC芯片在锂电池供电的设备中工作，其特征在于，所述SoC芯片集成有电源管理控制模块，所述电源管理模块用于使能ADC单元进行采样以及向所述SOC芯片的供电电源输出使能控制IO，所述方法包括以下步骤：

A、通过软件OS配置所述电源管理控制模块包括配置不上电阈值，并且通过所述ADC单元对所述电池的电压进行实时采样，及配置所述ADC单元在所述设备或所述SoC芯片的深度休眠模式下仍然对所述锂电池进行电压采样；

B、确定电池电压低于所述的不上电阈值，ADC单元主动产生高有效的不上电信号到所述电源管理控制模块，以禁止所述电源管理控制模块连接至所述SoC芯片的电源使能控制IO输出高；

C、确定电池电压达到所述的不上电阈值，ADC单元主动拉低所述的不上电信号到所述电源管理控制模块，以允许所述电源管理控制模块连接至所述SoC芯片的电源使能控制IO输出高。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤A包括：

在SoC芯片第一次冷启之后，通过软件OS配置所述的不上电阈值，然后允许软件OS后续不再介入。

3.据权利要求1或2所述的方法，其中，所述步骤A还包括：

根据所述设备的剩余电量动态调整所述ADC单元对所述电池的电压的实时采样频率。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述步骤B包括：

监测所述的锂电池的电压；

当该电池电压大于所述的不上电阈值，ADC单元拉低所述的不上电信号，并允许连接至所述SoC芯片的电源使能控制IO输出高。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述步骤B还包括：

以一持续时间监测所述的锂电池的电压；

确定电池电压在一时间段内持续大于所述的不上电阈值，ADC单元拉低所述的不上电信号，并允许连接至所述SoC芯片的电源使能控制IO输出高。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤C包括：

确定电池电压在一时间段内持续达到所述的不上电阈值，ADC单元拉低所述的不上电信号，并允许连接至所述SoC芯片的电源使能控制IO输出高。

7.一种SoC芯片，其特征在于，所述的SoC芯片包括含有ADC单元的电源管理控制模块，所述的ADC单元在所述设备或芯片的深度休眠模式下仍然被供电以执行电池电压采样，该电源管理控制模块被配置用于执行如权利要求1至6中任一项所述的方法。

8.一种移动运算设备，包括锂电池，其特征在于，还包括如权利要求7所述的SoC芯片。

9.一种运算设备可读存储介质，其特征在于，其上储存有程序指令，所述程序指令被处理器执行时实施如权利要求1至6中任一项所述的方法。