[发明专利]一种Cu(II)-四(4-羧苯基)卟啉膜及制备方法有效
申请号: | 202011486205.7 | 申请日: | 2020-12-16 |
公开(公告)号: | CN112717730B | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | 乔志华;于彩娇;梁跃耀;仲崇立 | 申请(专利权)人: | 天津工业大学 |
主分类号: | B01D71/68 | 分类号: | B01D71/68;B01D67/00;B01D69/02;B01D53/22 |
代理公司: | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人: | 谢绪宁;薛赟 |
地址: | 300380 *** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cu ii 苯基 卟啉 制备 方法 | ||
1.一种Cu(II)-四(4-羧苯基)卟啉膜的制备方法,其特征在于具体包括如下步骤:
(1)、PVA-Cu(NO3)2络合物水溶液的制备
首先,在去离子水中加入PVA和Cu(NO3)2·3H2O,混合均匀后,控制温度为90-95℃进行反应4-6h,得到PVA-Cu(NO3)2络合物水溶液;
上述的PVA,聚合度=1600-1700,醇解度=87-89%;
(2)、含有少量Cu2+离子的PVA有机界面层的制备
将作为基底的mPSf膜完全浸入到温度为25-30℃的步骤(1)所得PVA-Cu(NO3)2·3H2O络合物水溶液中进行浸泡、干燥,在mPSf膜的表面形成含有少量Cu2+离子的PVA有机界面层,得到含有少量Cu2+离子的PVA有机界面层的mPSf膜;
(3)、将步骤(2)所得的含有少量Cu2+离子的PVA有机界面层的mPSf膜的含有少量Cu2+离子的PVA有机界面层朝下,完全浸入到由PVP、硝酸铜三水合物、TFA、配体TCPP与有机溶剂组成的混合溶液中进行浸泡自组装后,依次经干燥、洗涤、再干燥,得到Cu(II)-四(4-羧苯基)卟啉膜;
所述的PVP,重均分子量为40000-45000;
上述由PVP、硝酸铜三水合物、TFA、配体TCPP与有机溶剂组成的混合溶液中,PVP、硝酸铜三水合物、TFA、配体TCPP与有机溶剂的用量,按PVP:硝酸铜三水合物:TFA:TCPP:有机溶剂为1g:0.25-0.35g:2-3g:0.005-0.006g:3-4L;
所述的有机溶剂为按体积比计算,由二甲基甲酰胺:乙醇为3:1混合而成。
2.如权利要求1所述的一种Cu(II)-四(4-羧苯基)卟啉膜的制备方法,其特征在于步骤(1)PVA-Cu(NO3)2络合物水溶液的制备过程中,PVA、Cu(NO3)2·3H2O和水的用量,按PVA:Cu(NO3)2·3H2O:水的质量比为1:20-80:3919-3979。
3.如权利要求2所述的一种Cu(II)-四(4-羧苯基)卟啉膜的制备方法,其特征在于步骤(1)PVA-Cu(NO3)2络合物水溶液的制备过程中, PVA、Cu(NO3)2·3H2O和水的用量,按PVA:Cu(NO3)2·3H2O:水的质量比为1:20-40:3919-3979。
4.如权利要求1所述的一种Cu(II)-四(4-羧苯基)卟啉膜的制备方法,其特征在于步骤(2)中所述的浸泡,即将mPSf膜完全浸入到PVA-Cu(NO3)2·3H2O络合物水溶液中进行浸泡4-6h。
5.如权利要求4所述的一种Cu(II)-四(4-羧苯基)卟啉膜的制备方法,其特征在于步骤(2)中所述的干燥,即控制温度为25-35℃、相对湿度为20-25%进行干燥。
6.如权利要求5所述的一种Cu(II)-四(4-羧苯基)卟啉膜的制备方法,其特征在于步骤(3)中所述的浸泡自组装,即控制温度为55-65℃浸泡4-6h。
7.如权利要求6所述的一种Cu(II)-四(4-羧苯基)卟啉膜的制备方法,其特征在于步骤(3)中所述的干燥,即控制温度为25-35℃和相对湿度35-45%进行干燥0.5-1.5h。
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