[发明专利]一种高频软磁材料及其制备方法

权利要求书

1.一种高频软磁材料，其特征在于，化学式为Fe_1-x-yA_xB_y，15≤x≤45，10≤y≤20，A为Co和/或Ni，B为氮化物，具有定向磁畴结构。

2.根据权利要求1所述的高频软磁材料，其特征在于，所述高频软磁材料为导电磁性纳米晶粒嵌入在绝缘无磁性非晶基体的非晶纳米晶双相结构，平均晶粒尺寸小于10nm。

3.根据权利要求1所述的高频软磁材料，其特征在于，所述B是由Hf、Zr、Ti或稀土元素中的一种或多种与N元素组成的氮化物。

4.根据权利要求1所述的高频软磁材料，其特征在于，所述的定向磁畴结构，宽度小于20μm，形状为条形。

5.根据权利要求1所述的高频软磁材料，其特征在于，所述高频软磁材料具有面内单轴各向异性，磁各向异性场在30-80Oe范围内。

6.根据权利要求1所述的高频软磁材料，其特征在于，所述高频软磁材料的饱和磁化强度≥16kGs，矫顽力≤100Oe，100MHz下磁导率≥400。

7.根据权利要求1所述的高频软磁材料，其特征在于，所述的高频软磁材料的阻尼因子≤0.023，截止频率在1-10GHz范围内。

8.根据权利要求1-7任一项所述的高频软磁材料的制备方法，包括：

(1)清洗、吹干衬底材料，将衬底放在样品托上，衬底两端放置永磁体，然后放入腔室，腔室内真空度抽至5×10^-5Pa以下；

(2)N₂和Ar混合均匀形成混合气体，N₂/Ar流量比为4％-25％，将混合气体通入腔室，调节腔内气压为1.2-1.6Pa，起辉功率为30-40W，起辉；

(3)稳定起辉后，调节溅射功率为40-120W，腔内气压为0.3-1.2Pa，预溅射10-20min，去除靶材表面的杂质；

(4)设定溅射时间后溅射，制备所述的高频软磁材料。

9.根据权利要求8所述的高频软磁材料的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述的靶材为合金靶材。

10.根据权利要求8所述的高频软磁材料的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，所述的溅射时间为2-50min，制备得到的高频软磁材料的厚度为5nm-2μm。