[发明专利]用于平板显示器中的相移空白掩膜和光掩膜在审
| 申请号: | 202011485574.4 | 申请日: | 2020-12-16 |
| 公开(公告)号: | CN113009774A | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
| 发明(设计)人: | 金东建;孔钟奎 | 申请(专利权)人: | 思而施技术株式会社 |
| 主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 孙微;孙进华 |
| 地址: | 韩国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 平板 显示器 中的 相移 空白 光掩膜 | ||
1.一种用于平板显示器(FPD)中的相移空白掩膜,该相移空白掩膜包括:
位于透明衬底上的相移膜,
其中所述相移膜包括:
控制曝光光线的透射率的透射衰减层;以及
控制所述曝光光线的相移量的相移层。
2.根据权利要求1所述的用于FPD中的相移空白掩膜,其中所述透射衰减层由主要包含铬(Cr)并且包含氮(N)和碳(C)中的一种或多种轻元素的材料制成。
3.根据权利要求2所述的用于FPD中的相移空白掩膜,其中所述透射衰减层的组成比为50原子%至100原子%的铬(Cr)、0原子%至50原子%的氮(N)和0原子%至50原子%的碳(C)。
4.根据权利要求2所述的用于FPD中的相移空白掩膜,其中所述透射衰减层由进一步包含氟(F)、氢(H)和硼(B)中的一种或多种轻元素的材料制成。
5.根据权利要求1所述的用于FPD中的相移空白掩膜,其中所述透射衰减层的厚度为至
6.根据权利要求5所述的用于FPD中的相移空白掩膜,其中当将所述透射衰减层配置为多层时,各层的厚度为至
7.根据权利要求1所述的用于FPD中的相移空白掩膜,其中所述相移层由主要包含铬(Cr)并且包含氧(O)、氮(N)和碳(C)中的一种或多种轻元素的材料制成。
8.根据权利要求7所述的用于FPD中的相移空白掩膜,其中所述相移层的组成比为10原子%至60原子%的铬(Cr)、0原子%至60原子%的氮(N)、0原子%至60原子%的氧(O)和0原子%至40原子%的碳(C)。
9.根据权利要求1所述的用于FPD中的相移空白掩膜,其中所述相移层的厚度为至
10.根据权利要求9所述的用于FPD中的相移空白掩膜,其中当将所述相移层配置为两层或更多层的多层时,各层的厚度为至
11.根据权利要求1所述的用于FPD中的相移空白掩膜,其中所述透射衰减层包括形成于所述透明衬底上的第一透射衰减层以及形成于所述第一透射衰减层上的第二透射衰减层。
12.根据权利要求11所述的用于FPD中的相移空白掩膜,其中所述第一透射衰减层由主要包含铬(Cr)并且包含氮(N)和碳(C)中的一种或多种轻元素的材料制成,并且
所述第二透射衰减层由主要包含铬(Cr)并且包含氧(O)、氮(N)和碳(C)中的一种或多种轻元素的材料制成。
13.根据权利要求12所述的用于FPD中的相移空白掩膜,其中所述第一透射衰减层的组成比为50原子%至100原子%的铬(Cr)、0原子%至30原子%的氮(N)和0原子%至30原子%的碳(C),并且
所述第二透射衰减层的组成比为5原子%至50原子%的铬(Cr)、0原子%至70原子%的氮(N)、0原子%至70原子%的氧(O)和0原子%至50原子%的碳(C)。
14.根据权利要求12所述的用于FPD中的相移空白掩膜,其中所述第一透射衰减层和所述第二透射衰减层中的至少任一者由进一步包含氟(F)、氢(H)和硼(B)中的一种或多种轻元素的材料制成。
15.根据权利要求11所述的用于FPD中的相移空白掩膜,其中所述第一透射衰减层的厚度为至并且所述第二透射衰减层的厚度为至
16.根据权利要求15所述的用于FPD中的相移空白掩膜,其中当将所述第一透射衰减层配置为多层时,各层的厚度为至并且
当将所述第二透射衰减层配置为多层时,各层的厚度为至
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备





