[发明专利]具有微机电系统(MEMS)的无帽半导体封装件在审

专利信息
申请号: 202011484169.0 申请日: 2020-12-15
公开(公告)号: CN112978672A 公开(公告)日: 2021-06-18
发明(设计)人: J·S·塔利多 申请(专利权)人: 意法半导体公司
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 罗利娜
地址: 菲律宾*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 微机 系统 mems 半导体 封装
【权利要求书】:

1.一种设备,包括:

基底,包括第一表面、第二表面以及开口,所述第二表面背向所述第一表面,所述开口从所述第一表面延伸穿过所述基底到所述第二表面;

微机电系统MEMS裸片,与所述开口对准,所述MEMS裸片通过腔体与所述基底的所述第二表面隔开,所述MEMS裸片包括:

第三表面,面向所述基底的所述第二表面,所述腔体从所述MEMS裸片的所述第三表面延伸到所述基底的所述第二表面;

多个侧壁,横向于所述第三表面;以及

MEMS元件,与在所述基底中的所述腔体对准;

模塑化合物,覆盖所述MEMS裸片的所述多个侧壁,并且限定所述腔体的侧面。

2.根据权利要求1所述的设备,还包括:

粘合剂,将ASIC裸片耦合到所述基底的所述第二表面;以及

键合接线,将所述ASIC裸片耦合到所述MEMS裸片。

3.根据权利要求1所述的设备,其中:

所述MEMS裸片还包括第四表面,所述第四表面背向所述基底的所述第二表面;以及

所述模塑化合物还包括第五表面,所述第五表面背向所述基底的所述第二表面,所述第五表面与所述第四表面共面。

4.根据权利要求1所述的设备,还包括粘合剂层和ASIC裸片,其中:

所述MEMS裸片还包括第四表面,所述第四表面背向所述基底的所述第二表面;以及

所述ASIC裸片通过所述粘合剂层耦合到所述MEMS裸片的所述第四表面。

5.根据权利要求1所述的设备,其中所述MEMS裸片还包括:

多个第一接触焊盘,在所述MEMS裸片的所述第三表面上;

多个第二接触焊盘,在所述基底的所述第二表面上;以及

多个焊球,被耦合在所述MEMS裸片上的所述多个第一接触焊盘与所述基底上的所述多个第二接触焊盘之间,所述多个焊球被定位在所述腔体内,所述多个焊球与所述腔体的所述侧面相距一定距离。

6.一种设备,包括:

基底,具有开口,所述开口从所述基底的第一表面延伸穿过所述基底到所述基底的第二表面;

微机电系统MEMS裸片,与所述开口对准,所述MEMS裸片包括传感器组件以及多个侧壁,所述传感器组件与在所述基底中的所述开口对准,所述多个侧壁横向于所述基底的所述第一表面和所述基底的所述第二表面;

腔体,与所述开口以及所述传感器组件流体连通并且对准,所述腔体将所述MEMS裸片与所述基底分离,并且所述腔体从所述基底延伸到所述MEMS裸片;以及包封件,围绕所述MEMS裸片,并且所述包封件包括限定所述腔体的侧面的侧壁。

7.根据权利要求6所述的设备,其中所述包封件的所述侧壁分别与所述MEMS裸片的所述侧壁对准。

8.根据权利要求6所述的设备,其中所述包封件的侧壁各自包括第一部分和第二部分,所述第一部分分别接触所述MEMS裸片的所述侧壁,并且所述第二部分限定所述腔体的所述侧面。

9.根据权利要求8所述的设备,还包括:

粘合剂层;

专用集成电路ASIC裸片,通过所述粘合剂层耦合到所述MEMS裸片的表面;以及

键合接线,将所述ASIC裸片电耦合到所述基底。

10.根据权利要求6所述的设备,还包括:

粘合剂层;

专用集成电路ASIC,通过所述粘合剂层耦合到所述基底;以及

键合接线,将所述ASIC电耦合到所述基底。

11.根据权利要求10所述的设备,还包括:键合接线,将所述MEMS裸片耦合到所述ASIC。

12.根据权利要求6所述的设备,其中所述腔体具有的宽度大于所述开口的宽度,并且所述腔体具有的高度小于所述开口的高度。

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