[发明专利]量子点发光场效应晶体管、其制备方法及显示面板

说明书

本发明的实施例提供了一种量子点发光场效应晶体管、其制备方法及显示面板，属于光电技术领域，量子点发光场效应晶体管包括量子点发光层，量子点发光层的材料包括CuInS₂和ZnS，ZnS包覆CuInS₂以形成核壳结构。量子点发光场效应晶体管的制备方法用于制备上述的量子点发光场效应晶体管。显示面板包括上述的量子点发光场效应晶体管。本发明实施例提供的量子点发光场效应晶体管的量子点发光层采用由ZnS包覆CuInS₂形成的核壳结构，其不含镉、铅等对环境影响特别大的元素，因此绿色环保，可以实现大规模的应用。相应地，采用该量子点发光场效应晶体管作为发光源的显示面板也具有绿色环保，利于实现大规模应用的特点。

技术领域

本发明涉及光电技术领域，具体而言，涉及一种量子点发光场效应晶体管、量子点发光场效应晶体管的制备方法及显示面板。

背景技术

量子点发光场效应晶体管因其具有特殊的光电性能，兼具场效应晶体管的开关能力和发光二极管的电致发光特性，被认为是具有巨大发展前景的新型显示器件。

但是，目前的量子点发光场效应晶体管使用的量子点材料都含有镉、铅等对环境影响特别大的元素，导致其应用规模受限。

发明内容

本发明的目的包括，例如，提供了一种量子点发光场效应晶体管、量子点发光场效应晶体管的制备方法及显示面板，其量子点发光层采用不含镉、铅等对环境影响特别大的元素，绿色环保，可以实现大规模的应用。

本发明的实施例可以这样实现：

第一方面，本发明提供一种量子点发光场效应晶体管，包括量子点发光层，所述量子点发光层的材料包括CuInS₂和ZnS，所述ZnS包覆所述CuInS₂以形成核壳结构。

在可选的实施方式中，还包括衬底、栅极、绝缘层、电子传输层、空穴传输层、空穴注入层及源漏电极，所述衬底、所述栅极、所述绝缘层、所述电子传输层、所述量子点发光层、所述空穴传输层、所述空穴注入层及所述源漏电极自下而上依次设置。

在可选的实施方式中，所述栅极的材料包括Al或者Al：Nd。

在可选的实施方式中，所述绝缘层的材料包括Al₂O₃或Al₂O₃：Nd。

在可选的实施方式中，所述电子传输层的材料包括IGZO。

在可选的实施方式中，所述空穴传输层的材料包括PVK、Poly-TPD和TFB中的至少一种。

在可选的实施方式中，所述空穴注入层的材料包括PMAH、TPD和NPB中的至少一种。

在可选的实施方式中，所述源漏电极的材料包括Au、Au合金、Pt和Pt合金中的至少一种。

第二方面，本发明提供一种量子点发光场效应晶体管的制备方法，包括：采用CuInS₂和ZnS制备量子点发光场效应晶体管的量子点发光层，其中，所述ZnS包覆所述CuInS₂以形成核壳结构。

第三方面，本发明提供一种显示面板，包括前述实施方式任一项所述的量子点发光场效应晶体管或者由前述实施方式所述的量子点发光场效应晶体管的制备方法制备的量子点发光场效应晶体管。

本发明实施例的有益效果包括，例如：

本发明实施例提供的量子点发光场效应晶体管的量子点发光层采用由ZnS包覆所述CuInS₂形成的核壳结构，其不含镉、铅等对环境影响特别大的元素，因此绿色环保，可以实现大规模的应用。

附图说明