[发明专利]光刻胶涂布装置

说明书

本发明公开了一种光刻胶涂布装置，所述光刻胶喷涂装置包括晶圆承载台、驱动装置、晶圆容置装置、光刻胶喷头、溶剂喷头和吸附垫；所述晶圆容置装置用于容置所述晶圆承载台，所述晶圆承载台用于放置晶圆；所述驱动装置与所述晶圆承载台连接以驱动所述晶圆承载台旋转；所述光刻胶喷头位于所述晶圆承载台上方，用于向晶圆喷涂光刻胶；所述溶剂喷头位于所述晶圆承载台上方，用于向所述晶圆边缘喷射溶剂，所述溶剂用于溶解所述光刻胶；所述吸附垫设置在所述晶圆容置装置内壁，并对准所述晶圆边缘，所述吸附垫用于吸附喷溅的所述溶剂；该装置能够有效去除光刻胶在晶圆边缘的隆起，且去除过程中有效避免晶圆表面产生缺陷。

技术领域

本发明涉及光刻胶设备技术领域，尤其是涉及一种光刻胶涂布装置。

背景技术

半导体制造工艺中，光刻工艺一直被认为是集成电路制造中关键的步骤，在整个光刻工艺过程中晶圆涂布非常重要，其稳定性及可靠性对产品的质量、良率和成本有着重要的影响。光刻工艺是一个复杂的过程，其本质是把电路结构以图形的形式复制到以后要进行刻蚀和离子注入的晶圆上，首先利用光刻胶涂布系统在晶圆上形成光刻胶薄层，再将平行光经过掩膜版照射在光刻胶薄层上使其曝光而变质，最后利用显影液进行显影完成图形转移。其中，若形成的光刻胶薄层厚度出现了偏差，会直接影响到后面相关工艺的进行。

在半导体制造产业中，现有的光刻胶喷涂技术是采用中心喷涂方式，即晶圆只有一个喷头喷涂光刻胶，该光刻胶喷头置于晶圆中心上方，喷涂光刻胶后晶圆旋转使光刻胶布满晶圆。具体操作时，首先，设置一光刻胶溶剂喷头用于喷涂光刻胶溶剂，使晶圆润湿，易于后面光刻胶涂布。然后另一光刻胶喷头喷涂光刻胶，喷涂过程中晶圆可以旋转也可以不旋转，喷涂完后晶圆高速旋转将光刻胶向四周甩出，光刻胶溶剂布满晶圆。同时光刻胶以星星图案方式在晶圆上流动，最后光刻胶均匀涂布在晶圆表面。

光刻胶去边是光刻涂胶的必要步骤，在光刻胶旋涂的过程中，多余的光刻胶会被离心力甩到晶圆边缘，固化后形成隆起的边缘，在表面张力的作用下，少量的胶会沿着边缘流到晶圆背面，对晶圆造成污染，且部分胶剥离易形成缺陷，因此需要在涂胶结束后立即去除。

因此，有必要提供一种光刻胶涂布装置，能够有效去除光刻胶在晶圆边缘的隆起，且去除过程中有效避免晶圆表面产生缺陷。

发明内容

本发明的目的在于提供一种光刻胶涂布装置，该装置能够有效去除光刻胶在晶圆边缘的隆起，且去除过程中有效避免晶圆表面产生缺陷。

为实现上述目的和其他相关目的，本发明提供了一种光刻胶涂布装置，其特征在于，所述光刻胶喷涂装置包括晶圆承载台、驱动装置、晶圆容置装置、光刻胶喷头、溶剂喷头和吸附垫；所述晶圆容置装置用于容置所述晶圆承载台，所述晶圆承载台用于放置晶圆；所述驱动装置与所述晶圆承载台连接以驱动所述晶圆承载台旋转；所述光刻胶喷头位于所述晶圆承载台上方，用于向晶圆喷涂光刻胶；所述溶剂喷头位于所述晶圆承载台上方，用于向所述晶圆边缘喷射溶剂，所述溶剂用于溶解所述光刻胶；所述吸附垫设置在所述晶圆容置装置内壁，并对准所述晶圆边缘，所述吸附垫用于吸附喷溅的所述溶剂。

优选地，所述晶圆承载台为圆形。

优选地，所述晶圆承载台真空吸附所述晶圆。

优选地，所述光刻胶喷头的数量为多个。

优选地，多个所述光刻胶喷头沿着所述晶圆承载台的同一半径分布，其中，第一个所述光刻胶喷头位于所述晶圆承载台中心上方。

优选地，所述光刻胶喷头上设置有传感器。

优选地，每个所述光刻胶喷头呈倒梯形，每个所述光刻胶喷头的出口口径为0.2mm～0.8mm。

优选地，所述光刻胶喷头的位置和数量能够根据喷涂时光刻胶的厚度和/或晶圆尺寸变更。