[发明专利]用于芯片的自适应电压与频率调节的测试电路的实现方法

权利要求书

1.一种用于芯片的自适应电压与频率调节的测试电路的实现方法，其中，所述测试电路包括至少一个金属绕线路径，所述至少一个金属绕线路径包括第一金属绕线路径，所述实现方法包括：

在所述芯片的测试区域中创建所述第一金属绕线路径包括的第一中心单元；

在所述第一中心单元的周围创建所述第一金属绕线路径包括的多个第一中间单元；

从所述第一中心单元出发经过所述多个第一中间单元后再回到所述第一中心单元，以围绕所述第一中心单元完成对所述第一金属绕线路径的绕线操作，从而创建用于连接所述第一金属绕线路径包括的各个单元的多条金属走线；

其中，所述第一金属绕线路径经过所述芯片的多个金属层。

2.根据权利要求1所述的实现方法，其中，在所述第一中心单元的周围创建所述多个第一中间单元，包括：

获取所述第一金属绕线路径的总绕线长度以及总绕线圈数；

根据所述总绕线长度以及所述总绕线圈数计算最靠近所述第一中心单元的第一圈绕线的边长并记为第一边长，以及计算相邻的两圈绕线之间在第一方向上的距离并记为第一距离；以及

根据所述第一边长以及所述第一距离自动创建所述多个第一中间单元；

其中，所述第一方向为在所述绕线操作中用于创建所述多条金属走线所采用的横向方向或纵向方向。

3.根据权利要求2所述的实现方法，其中，获取所述第一金属绕线路径的总绕线长度以及总绕线圈数，包括：

根据绕线规则、所述第一金属绕线路径的绕线总延时以及所述多个金属层的电学参数计算获得所述第一金属绕线路径的总绕线长度；以及

获取预先设置的总绕线圈数。

4.根据权利要求3所述的实现方法，其中，所述绕线规则包括：所述第一金属绕线路径需要经过的金属层以及所述第一金属绕线路径分别在不同金属层中的绕线宽度。

5.根据权利要求3所述的实现方法，其中，在所述第一中心单元的周围创建所述多个第一中间单元，还包括：

响应于所述多个第一中间单元在所述测试区域中所围成的面积大于预设值，调整所述总绕线圈数直到使得所述多个第一中间单元的在所述测试区域中所围成的面积小于等于所述预设值。

6.根据权利要求2所述的实现方法，其中，所述多个第一中间单元围绕所述第一中心单元呈菱形分布，所述多个第一中间单元中相邻连接的两个第一中间单元的连线与所述第一方向相交。

7.根据权利要求1-6任一所述的实现方法，其中，所述至少一个金属绕线路径还包括第二金属绕线路径，所述实现方法还包括：

在所述测试区域中创建所述第二金属绕线路径包括的第二中心单元；

在所述第二中心单元的周围创建所述第二金属绕线路径包括的多个第二中间单元；

从所述第二中心单元出发经过所述多个第二中间单元后再回到所述第二中心单元，以围绕所述第二中心单元完成对所述第二金属绕线路径的绕线操作，从而创建用于连接所述第二金属绕线路径包括的各个单元的多条金属走线；

其中，所述第二金属绕线路径经过所述芯片的多个金属层，所述第一金属绕线路径包括的多条金属走线分别在对应的金属层中的长度之间的比例为第一比例，所述第二金属绕线路径包括的多条金属走线分别在对应的金属层中的长度之间的比例为第二比例，所述第一比例与所述第二比例不同。

8.根据权利要求1-6任一所述的实现方法，还包括：

在所述芯片中选取一个绕线资源空闲的区域作为所述测试区域。

9.根据权利要求1-6任一所述的实现方法，在完成所述绕线操作后，所述实现方法还包括：

固定所述多条金属走线以避免其它操作对所述多条金属走线造成影响。