[发明专利]一种大功率模块粗铜线键合结构在审
| 申请号： | 202011477028.6 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN112599504A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 王志超 | 申请（专利权）人： | 华芯威半导体科技（北京）有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11717 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100744 北京市大兴区经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 模块 铜线 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种大功率模块粗铜线键合结构，包括双面覆铜陶瓷基板与铜键合线，所述双面覆铜陶瓷基板上设置有芯片，其特征在于：所述芯片上设置有铜箔缓冲层，铜箔缓冲层通过焊接层与芯片的键合表面固定连接，所述铜键合线与铜箔缓冲层键合连接。
2.根据权利要求1所述的一种大功率模块粗铜线键合结构，其特征在于：所述铜箔缓冲层采用钼铜或者钨铜材质。
3.根据权利要求1所述的一种大功率模块粗铜线键合结构，其特征在于：所述焊接层采用纳米银烧结工艺形成。
4.根据权利要求1所述的一种大功率模块粗铜线键合结构，其特征在于：所述铜箔缓冲层的四周设置有小孔。
5.根据权利要求4所述的一种大功率模块粗铜线键合结构，其特征在于：所述小孔间隔均匀的进行布置。
6.根据权利要求1所述的一种大功率模块粗铜线键合结构，其特征在于：所述铜键合线的直径为12mil-20mil。
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