[发明专利]一种高效率白光器件结构在审

专利信息
申请号: 202011476328.2 申请日: 2020-12-15
公开(公告)号: CN112599689A 公开(公告)日: 2021-04-02
发明(设计)人: 吕磊;李维维;刘胜芳;赵铮涛;李雪原;许嵩 申请(专利权)人: 安徽熙泰智能科技有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L27/32
代理公司: 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 代理人: 尹婷婷
地址: 241000 安徽省芜湖市芜湖长江*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 高效率 白光 器件 结构
【说明书】:

发明公开了一种高效率白光器件结构,所述白光器件结构由下至上依次包括:阳极、空穴注入层、空穴传输层、蓝光发光层、电荷产生层、黄光发光层、电子传输层、电子注入层、阴极、封盖层、薄膜封装层;并根据OLED微腔计算公式计算出蓝光和黄光可同时谐振增强时的有机层厚度;本发明提供的高效率白光器件结构具有以下有益效果:该结构能够使黄光和蓝光同时谐振加强,蓝光和黄光可同时谐振增强时,蓝光发光层的微腔阶数=5、黄光发光层的微腔阶数=4;本发明中的高效率白光器件结构可提高WOLED的发光效率,改善产品的使用寿命。

技术领域

本发明属于WOLED技术领域,具体涉及一种高效率白光器件结构。

背景技术

与传统的AMOLED显示技术相比,硅基OLED微显示以单晶硅芯片为基底并借助于成熟的CMOS工艺使其像素尺寸更小、集成度更高,可制作成媲美大屏显示的近眼显示产品而受到广泛关注。基于其技术优势和广阔的市场,在军事以及消费电子领域,硅基OLED微显示都将掀起近眼显示的新浪潮,为用户带来前所未有的视觉体验。

受限于金属掩膜版的制作技术,现有的高ppi硅基OLED产品多采用common mask蒸镀OLED,若是全彩产品则使用WOLED(白光OLED)+CF(彩色滤光片)技术。目前常见的实现白光OLED器件结构有以下几种方案:发光层为Y+B结构,YB共用主体材料,通常均为荧光材料,该器件结构简单,易于实现白色发光,但器件的效率较低;发光层分别为signle B+Y结构和single B+G+R结构,这两种结构均属于弱微腔结构,此时Y和G/R可为磷光材料,器件效率有提高,但该结构实现白光受激子复合区影响较大,光色不稳定;发光层分别为tandem B+Y、tandem B+G+R叠层结构,该类型器件效率会有大幅度提升,但是需要解决RGBY因不同光学微腔长度导致的色偏问题。

当前硅基OLED用来解决WOLED因RGB不同光学微腔长度导致的色偏方法有以下两种:其一是在阳极上制作不同厚度的ITO膜层,即RGB像素区域对应的ITO厚度不一样,通过ITO厚度的来实现WOLED中RGB三个颜色的微腔调整,如图6所示,但是该种方法工艺复杂,需要经过多次涂曝显工艺,并且要求器件与ITO的厚度匹配要精准;其二是使用透明金属IZO或者ITO等作为阴极,消除微腔效应,如图7所示,但是该种方法需要增加特殊的溅射设备,以防止ITO或者IZO成膜过程中对OLED造成损伤。

以上两种方案对工艺和设备成本要求较高,目前还在研发阶段,尚未大量应用于实际生产中。

发明内容

本发明提供了一种高效率白光器件结构,以解决因EML-Y和EML-B各自的谐振腔长不同导致的导致Y和B光谱不能同时谐振增强导致产品效率较低或者CIE偏离的问题,进而提高WOLED的发光效率,改善产品的使用寿命。

为实现上述目的,本发明采取的具体技术方案为:

一种高效率白光器件结构,所述白光器件结构由下至上依次包括:阳极、空穴注入层、空穴传输层、蓝光发光层、电荷产生层、黄光发光层、电子传输层、电子注入层、阴极、封盖层、薄膜封装层。其为多阶叠层WOLED顶发射器件结构;并根据OLED微腔计算公式计算出蓝光和黄光可同时谐振增强时的有机层厚度;本发明中有机层的厚度为阳极与阴极之间所有层的总厚度。

所述OLED微腔计算公式为:其中ni为OLED有机层的折射率,di为有机层的厚度,φ为光在阴极和阳极表面反射相移,λ为光波波长,m为发射模的级数,也称为微腔的阶数;当有机层的厚度和光波波长满足上述关系时,光就会被加强;

当蓝光和黄光分别加强所对应的有机层厚度相同或相近时,蓝光和黄光可同时谐振增强,这样可得到高发光效率和长寿命的WOLED。

进一步地,蓝光和黄光可同时谐振增强时,蓝光发光层的微腔阶数=5、黄光发光层的微腔阶数=4。

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