[发明专利]一种高效率白光器件结构在审
| 申请号: | 202011476328.2 | 申请日: | 2020-12-15 |
| 公开(公告)号: | CN112599689A | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
| 发明(设计)人: | 吕磊;李维维;刘胜芳;赵铮涛;李雪原;许嵩 | 申请(专利权)人: | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L27/32 |
| 代理公司: | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人: | 尹婷婷 |
| 地址: | 241000 安徽省芜湖市芜湖长江*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 高效率 白光 器件 结构 | ||
本发明公开了一种高效率白光器件结构,所述白光器件结构由下至上依次包括:阳极、空穴注入层、空穴传输层、蓝光发光层、电荷产生层、黄光发光层、电子传输层、电子注入层、阴极、封盖层、薄膜封装层;并根据OLED微腔计算公式计算出蓝光和黄光可同时谐振增强时的有机层厚度;本发明提供的高效率白光器件结构具有以下有益效果:该结构能够使黄光和蓝光同时谐振加强,蓝光和黄光可同时谐振增强时,蓝光发光层的微腔阶数=5、黄光发光层的微腔阶数=4;本发明中的高效率白光器件结构可提高WOLED的发光效率,改善产品的使用寿命。
技术领域
本发明属于WOLED技术领域,具体涉及一种高效率白光器件结构。
背景技术
与传统的AMOLED显示技术相比,硅基OLED微显示以单晶硅芯片为基底并借助于成熟的CMOS工艺使其像素尺寸更小、集成度更高,可制作成媲美大屏显示的近眼显示产品而受到广泛关注。基于其技术优势和广阔的市场,在军事以及消费电子领域,硅基OLED微显示都将掀起近眼显示的新浪潮,为用户带来前所未有的视觉体验。
受限于金属掩膜版的制作技术,现有的高ppi硅基OLED产品多采用common mask蒸镀OLED,若是全彩产品则使用WOLED(白光OLED)+CF(彩色滤光片)技术。目前常见的实现白光OLED器件结构有以下几种方案:发光层为Y+B结构,YB共用主体材料,通常均为荧光材料,该器件结构简单,易于实现白色发光,但器件的效率较低;发光层分别为signle B+Y结构和single B+G+R结构,这两种结构均属于弱微腔结构,此时Y和G/R可为磷光材料,器件效率有提高,但该结构实现白光受激子复合区影响较大,光色不稳定;发光层分别为tandem B+Y、tandem B+G+R叠层结构,该类型器件效率会有大幅度提升,但是需要解决RGBY因不同光学微腔长度导致的色偏问题。
当前硅基OLED用来解决WOLED因RGB不同光学微腔长度导致的色偏方法有以下两种:其一是在阳极上制作不同厚度的ITO膜层,即RGB像素区域对应的ITO厚度不一样,通过ITO厚度的来实现WOLED中RGB三个颜色的微腔调整,如图6所示,但是该种方法工艺复杂,需要经过多次涂曝显工艺,并且要求器件与ITO的厚度匹配要精准;其二是使用透明金属IZO或者ITO等作为阴极,消除微腔效应,如图7所示,但是该种方法需要增加特殊的溅射设备,以防止ITO或者IZO成膜过程中对OLED造成损伤。
以上两种方案对工艺和设备成本要求较高,目前还在研发阶段,尚未大量应用于实际生产中。
发明内容
本发明提供了一种高效率白光器件结构,以解决因EML-Y和EML-B各自的谐振腔长不同导致的导致Y和B光谱不能同时谐振增强导致产品效率较低或者CIE偏离的问题,进而提高WOLED的发光效率,改善产品的使用寿命。
为实现上述目的,本发明采取的具体技术方案为:
一种高效率白光器件结构,所述白光器件结构由下至上依次包括:阳极、空穴注入层、空穴传输层、蓝光发光层、电荷产生层、黄光发光层、电子传输层、电子注入层、阴极、封盖层、薄膜封装层。其为多阶叠层WOLED顶发射器件结构;并根据OLED微腔计算公式计算出蓝光和黄光可同时谐振增强时的有机层厚度;本发明中有机层的厚度为阳极与阴极之间所有层的总厚度。
所述OLED微腔计算公式为:其中ni为OLED有机层的折射率,di为有机层的厚度,φ为光在阴极和阳极表面反射相移,λ为光波波长,m为发射模的级数,也称为微腔的阶数;当有机层的厚度和光波波长满足上述关系时,光就会被加强;
当蓝光和黄光分别加强所对应的有机层厚度相同或相近时,蓝光和黄光可同时谐振增强,这样可得到高发光效率和长寿命的WOLED。
进一步地,蓝光和黄光可同时谐振增强时,蓝光发光层的微腔阶数=5、黄光发光层的微腔阶数=4。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





