[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底基板；

位于所述衬底基板上的氧化物半导体薄膜晶体管，所述氧化物半导体薄膜晶体管包括氧化物半导体有源层，所述氧化物半导体有源层包括沟道区和位于沟道区两侧的源漏极区；

与所述源漏极区接触的含氢层，所述含氢层适于向源漏极区中扩散氢。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述含氢层位于所述衬底基板和所述源漏极区之间；

优选的，所述含氢层的材料包括氮化硅；

优选的，所述含氢层的厚度为100纳米～150纳米；

优选的，所述含氢层背向所述衬底基板的一侧表面至衬底基板的距离小于或等于所述沟道区朝向所述衬底基板的表面至所述衬底基板之间的距离；

所述含氢层在所述氧化物半导体有源层表面的投影与所述沟道区的重叠区域的面积为零；

优选的，所述源漏极区的电阻率为1x10^－5欧姆＊米～1x10^－4欧姆＊米。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体薄膜晶体管还包括：顶栅介质层，所述顶栅介质层位于所述氧化物半导体有源层背向所述衬底基板的一侧、且延伸至所述氧化物半导体有源层侧部的衬底基板上；位于所述顶栅介质层背向所述衬底基板一侧的顶栅层，且所述顶栅层与所述沟道区相对；

优选的，在沿着所述沟道区的长度的方向上，所述含氢层的边缘至所述顶栅层的边缘之间的间距大于等于0；

优选的，在沿着所述沟道区的长度的方向上，所述含氢层至所述顶栅层的边缘之间的间距为0.5微米～1微米；

优选的，所述顶栅层的侧壁和所述顶栅层朝向所述衬底基板一侧的表面之间的夹角为60度～75度；

优选的，所述阵列基板还包括：位于所述衬底基板和所述顶栅介质层之间的绝缘层，且所述氧化物半导体有源层和所述含氢层位于所述绝缘层背向所述衬底基板的一侧；

优选的，所述半导体薄膜晶体管为单栅结构；优选的，所述绝缘层中具有位于朝向所述源漏极区的凹槽，所述含氢层位于所述凹槽中；优选的，所述含氢层位于所述凹槽的部分区域，或者所述含氢层背向所述衬底基板一侧的表面与含氢层侧部的所述绝缘层背向所述衬底基板一侧的顶面齐平；

优选的，所述半导体薄膜晶体管为双栅结构，所述绝缘层为底栅介质层，所述阵列基板还包括：位于部分所述底栅介质层和部分所述衬底基板之间的底栅层，所述底栅层与所述沟道层相对设置；

优选的，所述阵列基板还包括：层间介质层，所述层间介质层位于所述顶栅层背向所述衬底基板的一侧且覆盖所述顶栅介质层；贯穿所述层间介质层和顶栅介质层且与所述源漏极区电学连接的源漏电极。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体薄膜晶体管为单栅结构，所述阵列基板还包括：位于衬底基板一侧的底栅介质层，所述含氢层和所述氧化物半导体有源层位于所述底栅介质层背向所述衬底基板的一侧；位于部分所述底栅介质层和部分所述衬底基板之间的底栅层，所述底栅层与所述沟道层相对设置；

优选的，所述阵列基板还包括：层间介质层，所述层间介质层位于所述氧化物半导体有源层背向所述衬底基板的一侧且覆盖所述底栅介质层；贯穿所述层间介质层且与所述源漏极区电学连接的源漏电极。

5.根据权利要求3或4所述的阵列基板，其特征在于，所述底栅介质层包括底栅介质凸起区和位于底栅介质凸起区两侧的底栅介质凹陷区，所述底栅介质凸起区覆盖所述底栅层且与所述沟道区接触，所述含氢层位于所述源漏极区和部分所述底栅介质凹陷区之间且覆盖所述底栅介质凸起区的侧壁；

优选的，在沿着所述沟道区的长度的方向上，所述含氢层的边缘至所述底栅层的边缘之间的间距大于等于0；

优选的，在沿着所述沟道区的长度的方向上，所述含氢层至所述底栅层的边缘之间的间距为0.5微米～1微米。