[发明专利]一种纳米图形化衬底及其制作方法在审
| 申请号： | 202011474285.4 | 申请日： | 2020-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN112687778A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 徐广源;崔志强;贾晓龙;孟锡俊;蒋国文 | 申请（专利权）人： | 北京中科优唯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 张永辉 |
| 地址： | 100000 北京市大兴区经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 图形 衬底 及其 制作方法 | ||
1.一种纳米图形化衬底的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
步骤一、在衬底上施加具有多个孔洞的模板，所述孔洞的直径范围为100nm-800nm；
步骤二、透过所述模板的孔洞向所述衬底与所述孔洞对应的表面施加氮化铝层；
步骤三、将施加有氮化铝层的衬底进行退火。
2.根据权利要求1所述的一种纳米图形化衬底的制作方法，其特征在于，
在所述步骤二中，通过磁控溅射施加所述氮化铝层。
3.根据权利要求2所述的一种纳米图形化衬底的制作方法，其特征在于，所述磁控溅射的环境包括：工作功率为1000～4000W，氮气流量为80～200sccm，氧气流量为0.1～2sccm，氩气流量为0.1～40sccm，温度为400～750℃。
4.根据权利要求2或3所述的一种纳米图形化衬底的制作方法，其特征在于，所述氮化铝层的厚度为10～200nm。
5.根据权利要求2所述的一种纳米图形化衬底的制作方法，其特征在于，所述步骤三中退火的环境包括：温度为500～1000℃，退火时间为0.2～3h，退火气氛为氮气，氮气流量为200～10000sccm。
6.根据权利要求2所述的一种纳米图形化衬底的制作方法，其特征在于，所述衬底包括蓝宝石衬底。
7.根据权利要求1所述的一种纳米图形化衬底的制作方法，其特征在于，所述孔洞的形状包括方形、圆形或者其它异形。
8.根据权利要求1所述的一种纳米图形化衬底的制作方法，其特征在于，所述模板上的孔洞均匀排列。
9.根据权利要求1所述的一种纳米图形化衬底的制作方法，其特征在于，一种纳米图形化衬底，其特征在于，在所述步骤二中，通过原子层沉积方法或气相化学沉积方法施加所述氮化铝层。
10.一种纳米图形化衬底，其特征在于，所述衬底采用如权利要求1-6中任一项所述的方法制成。
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