[发明专利]一种GaNHEMT器件的高频无损逐周期电流检测电路

权利要求书

1.一种GaNHEMT器件的高频无损逐周期电流检测电路，其特征在于，包括GaN HEMT器件器件电路（01）、电流源电路（02）、动态导通电阻提取电路（03）和运放差分电路（04），所述GaN HEMT器件器件电路（01）中包括双管并列的第一GaN HEMT器件（101）和第二GaN HEMT器件（102），所述第一GaN HEMT器件（101）和第二GaN HEMT器件（102）的源极相连，其中第一GaN HEMT器件（101）的漏极直接与电流源电路（02）中的电压源（103）相连，第二GaN HEMT器件（103）的漏极通过无感电阻（104）与电压源（103）相连；

所述动态导通电阻提取电路（03）包括两条由若干二极管（105）串联组成的支路，其中支路一连接在电流源电路（02）中A点和运放差分电路（04）中运算放大器的同向输入端之间，支路二连接在在电流源电路（02）中B点和运放差分电路（04）中运算放大器的反向输入端之间，所述二极管（105）的阳极端连接有稳压管（107），支路一上的两个C点和支路二上的两个D点都连接有恒流源（106）。

2.根据权利要求1所述的一种GaNHEMT器件的高频无损逐周期电流检测电路，其特征在于：所述第一GaN HEMT器件（101）和第二GaN HEMT器件（102）的栅极和源极相连，漏极不相连，两个GaN HEMT器件采用完全相同的制备工艺将其制备在同一晶圆上。

3. 根据权利要求1所述的一种GaNHEMT器件的高频无损逐周期电流检测电路，其特征在于：所述第一GaN HEMT器件（101）和第二GaN HEMT器件（102）关态时的漏极电压一致。

4.根据权利要求1所述的一种GaNHEMT器件的高频无损逐周期电流检测电路，其特征在于：所述无感电阻（104）的阻值大于1000欧姆。

5.根据权利要求1所述的一种GaNHEMT器件的高频无损逐周期电流检测电路，其特征在于：所述运放差分电路（04）包括一个高速运算放大器，高速运算放大器的输出端连接有一个电容。

6.根据权利要求1所述的一种GaNHEMT器件的高频无损逐周期电流检测电路，其特征在于：所述支路一和支路二中得所有二极管（105）都是同型号的高压小电流二极管。