[发明专利]NAND闪存的页映射解码方法及系统、存储介质及终端

说明书

本发明提供一种NAND闪存的页映射解码方法及系统、存储介质及终端，包括以下步骤：将页地址的每个边缘字线设置为一个特定组，将两个边缘字线之间的字线设置为一个常规组，并将每个组的页地址转换为从预设值开始；分别基于所述特定组和所述常规组对应的页地址进行页映射解码。本发明的NAND闪存的页映射解码方法及系统、存储介质及终端优化了RTL页映射解码算法，即使在TO封装之后也能够更改边缘字线类型，从而无需进行设计更新就能够根据芯片测试结果灵活更改页映射。

技术领域

本发明涉及解码算法的技术领域，特别是涉及一种NAND闪存的页映射解码方法及系统、存储介质及终端。

背景技术

NAND闪存是一种非易失性存储器件，在断电后仍能保存数据。NAND闪存由块(block)构成，block的基本单元是页(page)。通常来说，每一个block由16、32或64个page组成。page是NAND闪存的最小读写单位，每个page由一定的存储单元(cell)构成。cell是NAND闪存的最小工作单位，执行数据存储的任务。NAND闪存根据每个cell内可存储的数据量分成单层单元(Single Level Cell，SLC)、多层单元(Multi Level Cell，MLC)、三层单元(Trinary Level Cell，TLC)和四层单元(Quad Level Cell，QLC)，分别能够在每个cell中存储1bit、2bit、3bit和4bit，且成本依次降低，容量依次增大，耐用度也依次降低。

现有技术中，通过字线(wordline)地址和字符串(string)地址来实现cell在NAND闪存中的定位。根据开放NAND闪存接口(Open NAND Flash Interface，ONFI)协议，用户无需输入wordline地址和string地址。但wordline地址、string地址是NAND操作所必需的。因此，需要通过页映射来解码页地址。所述页地址由用户通过cmd命令输入或由NAND固件设置。页映射的输出是页对应的wordline地址、String地址以及页类型。所述页类型包括低页(Low page，LP)、中页(Middle page，MP)和高页(Upper page，UP)。

页映射的解码逻辑取决于用户的应用以及NAND闪存的单元特性。现有技术中，通过预定义的页映射规范SPEC的硬件解码逻辑，如寄存器传输级(Register TransferLevel，RTL)来实现页映射的解码。

对于完整的SLC、MLC、TLC和QLC的NAND闪存而言，页映射的解码逻辑很简单，为一一对应的。如表1和表2所示，即为完整的SLC NAND闪存的页映射和完整的TLC NAND闪存的页映射。

表1、SLC NAND闪存的页映射

表2、TLC NAND闪存的页映射

但是考虑到过程相关影响，靠近堆栈边缘的wordline(如wl0、wl63、wl64和wl127)通常被定义为TLC NAND闪存的SLC或MLC wordline，或QLC NAND闪存的SLC、MLC或TLCwordline。如表3所示，即为QLC NAND闪存的页映射，其中边缘wordline是SLC，其他wordline是QLC。

表3、QLC NAND闪存的页映射

因此，对于上述NAND闪存的页映射解码方法，需要在设计阶段就知道确切的边缘WL类型，并基于定义的边缘WL类型开发相关的硬件。由于相关的硬件设计不能更改，边缘wordline编号和cell类型需要在流片之前定义，且在硅测试后不能更改。

发明内容