[发明专利]太赫兹波用光学元件和太赫兹波用光学元件的制造方法在审
申请号: | 202011472005.6 | 申请日: | 2020-12-15 |
公开(公告)号: | CN113009603A | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 林昌平;下村哲志;藤原弘康 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | G02B3/00 | 分类号: | G02B3/00;G02B1/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;王昊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 赫兹 用光 元件 制造 方法 | ||
1.一种太赫兹波用光学元件,其特征在于:
包括具有形成有使太赫兹波的相位变化的凹凸结构的表面的基片,
所述凹凸结构具有由周期性地配置的凹部构成的多个凹凸结构部,
所述凹凸结构具有分别配置有多个所述凹凸结构部的多个区域,
所述凹凸结构部的所述基片的厚度方向的高度和与所述厚度方向正交的方向的宽度按每个所述区域不同,
所述厚度方向上的所述凹凸结构的外侧端部位于同一平面上。
2.如权利要求1所述的太赫兹波用光学元件,其特征在于:
彼此相邻的所述凹凸结构部的中心间的距离一定。
3.如权利要求1或2所述的太赫兹波用光学元件,其特征在于:
所述凹凸结构部的所述宽度越大,所述凹凸结构部的所述高度越高。
4.如权利要求1~3中的任一项所述的太赫兹波用光学元件,其特征在于:
所述多个区域由沿规定方向排列的第1区域~第N区域的N个区域构成,
所述多个区域各自的有效折射率随着从所述第1区域向所述第N区域去而逐步变小,
其中,N为2以上的整数。
5.如权利要求4所述的太赫兹波用光学元件,其特征在于:
随着从所述第1区域向所述第N区域去,属于各所述区域的所述凹凸结构部的高度变高。
6.如权利要求4或5所述的太赫兹波用光学元件,其特征在于:
所述多个区域具有以使得彼此相邻的所述区域间的相位差成为第1相位差的方式设定的第1相位差区域和使得彼此相邻的所述区域间的相位差成为比所述第1相位差小的第2相位差的方式设定的第2相位差区域。
7.如权利要求6所述的太赫兹波用光学元件,其特征在于:
所述凹凸结构中所述凹凸结构部的所述宽度为预先确定的阈值以下的至少一个所述区域,为所述第2相位差区域。
8.如权利要求6或7所述的太赫兹波用光学元件,其特征在于:
至少所述第1区域构成所述第2相位差区域。
9.如权利要求4~8中的任一项所述的太赫兹波用光学元件,其特征在于:
所述凹凸结构部具有分别包含1组所述多个区域的多个重复单元,
所述多个重复单元沿所述规定方向排列,
所述多个重复单元中至少一个重复单元以成为具有大于2π的宽度的相位分布的方式构成。
10.如权利要求4~9中的任一项所述的太赫兹波用光学元件,其特征在于:
与所述多个区域分别对应的所述凹凸结构部的所述高度和所述宽度为能够抑制所述凹凸结构与空气的界面的太赫兹波的反射的尺寸。
11.一种太赫兹波用光学元件的制造方法,其特征在于,包括:
决定使太赫兹波的相位变化的凹凸结构的图案的第1工序;
在平坦的基片的表面形成与所述图案相应的蚀刻掩模的第2工序;
通过在所述基片的表面形成有所述蚀刻掩模的状态下,进行对所述基片的各向异性蚀刻,在所述基片的所述表面形成具有由周期性地配置的凹部构成的多个凹凸结构部的所述凹凸结构的第3工序;和
从所述基片的表面除去所述蚀刻掩模的第4工序,
所述凹凸结构具有分别配置有多个所述凹凸结构部的多个区域,
所述凹凸结构部的所述基片的厚度方向的高度和与所述厚度方向正交的方向的宽度按每个所述区域不同。
12.如权利要求11所述的太赫兹波用光学元件的制造方法,其特征在于:
在所述第1工序中,以使得彼此相邻的所述凹凸结构部的中心间的距离成为一定的方式决定所述凹凸结构的图案。
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