[发明专利]具有带陷阱增强添加剂的电荷俘获材料的存储器单元和集成组合件

权利要求书

1.一种存储器单元，其包括介于半导体沟道材料与门控区域之间的电荷俘获材料；所述电荷俘获材料包含硅、氮及陷阱增强添加剂；所述陷阱增强添加剂包含碳、硼、磷及金属中的一或多者。

2.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述电荷俘获材料内的所述氮的浓度在从约30at％到约60at％的范围内，且其中所述电荷俘获材料内的所述硅的浓度在从约40at％到约45at％的范围内。

3.根据权利要求2所述的存储器单元，其中所述电荷俘获材料内的所述陷阱增强添加剂的浓度在从约0.2at％到约20at％的范围内。

4.根据权利要求3所述的存储器单元，其中所述陷阱增强添加剂包括所述碳。

5.根据权利要求3所述的存储器单元，其中所述陷阱增强添加剂包括所述硼。

6.根据权利要求3所述的存储器单元，其中所述陷阱增强添加剂包括所述磷。

7.根据权利要求3所述的存储器单元，其中所述陷阱增强添加剂包括所述金属，且其中所述金属包含钛及钨中的一者或两者。

8.根据权利要求1所述的存储器单元，其中电荷俘获区域介于所述半导体沟道材料与所述门控区域之间；且其中所述电荷俘获材料是所述电荷俘获区域内的第一电荷俘获材料且直接抵靠所述电荷俘获区域内的第二电荷俘获材料；且其中所述第二电荷俘获材料包括硅和氮，且不包含所述陷阱增强添加剂。

9.根据权利要求8所述的存储器单元，其中所述电荷俘获区域包含直接抵靠所述第二电荷俘获材料且在所述第二电荷俘获材料相对于所述第一电荷俘获材料的相对侧上的第三电荷俘获材料；其中所述陷阱增强添加剂是第一陷阱增强添加剂；其中所述第三电荷俘获材料包括硅、氮及第二陷阱增强添加剂；且其中所述第二陷阱增强添加剂包含碳、磷、硼及金属中的一或多者。

10.根据权利要求9所述的存储器单元，其中所述第三电荷俘获材料是与所述第一电荷俘获材料相同的组合物。

11.根据权利要求9所述的存储器单元，其中所述第三电荷俘获材料是不同于所述第一电荷俘获材料的组合物。

12.一种集成组合件，其包括：

交替的第一阶层及第二层阶的堆叠；所述第一层阶包含导电结构且所述第二层阶是绝缘的；

沟道材料支柱，其延伸穿过所述堆叠；及

电荷俘获区域，其沿着所述沟道材料支柱且介于所述沟道材料支柱与所述导电结构之间；所述电荷俘获区域包含电荷俘获材料，所述材料包括硅、氮及陷阱增强添加剂；所述陷阱增强添加剂包含碳、硼、磷及金属中的一或多者。

13.根据权利要求12所述的存储器单元，其中所述沟道材料支柱包括硅。

14.根据权利要求12所述的集成组合件，其中：

所述电荷俘获材料是所述电荷俘获区域内的第一电荷俘获材料且直接抵靠所述电荷俘获区域内的第二电荷俘获材料；且

所述第二电荷俘获材料包括硅及氮，且包括不同于所述第一电荷俘获材料的组合物。

15.根据权利要求14所述的集成组合件，其中相比于所述第一电荷俘获材料，所述第二电荷俘获材料包括更少的所述陷阱增强添加剂。

16.根据权利要求14所述的集成组合件，其中所述第二电荷俘获材料缺乏所述陷阱增强添加剂。