[发明专利]一种存储封装芯片及其控制方法

说明书

本申请公开了一种存储封装芯片及其控制方法。通过在存储封装芯片的扩展芯片的指令与控制逻辑器判定所述扩展芯片未处于接收命令的工作状态时，将所述扩展芯片的高压电荷泵关闭，可以在保证待机启动时间的基础上，降低封装后的存储芯片产品的总待机电流。

技术领域

本申请涉及存储技术领域，尤其涉及一种存储封装芯片及其控制方法。

背景技术

存储器(Memory)是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。近年来，把闪存(Flash)芯片和应答保护单调计数器(Replay Protection MonotonicCounter，简称RPMC)芯片集成在一颗裸芯片上，形成增强型存储芯片，已经成为了存储器的封装趋势。Flash芯片用来存储中央处理单元(Central Processing Unit，简称CPU)的基本输入输出系统(Basic Input-Output System，简称BIOS)的代码和数据；RPMC芯片用来保证读写数据的机密性和完整性。RPMC芯片与Flash芯片一起构成了个人计算机(PersonalComputer，简称PC)系统中BIOS的硬件平台。

存储器的存储单元阵列由MOS晶体管构成，存储单元通常包括三类引线：字线(Word-Line，简称WL)、源线(Source-Line，简称SL)以及位线(Bit-Line，简称BL)。三类引线分别对应电连接于MOS晶体管的栅端、源端以及漏端。为了实现封装有RPMC芯片和Flash芯片的增强型存储芯片的快速的读操作，即使在芯片待机(Standby)工作模式下，存储单元的字线电压也需要由高压电荷泵(HV Charge Pump)偏置在一较高的电压上。

为了在待机工作模式下保持一个较高的电压输出，高压电荷泵和低压基准源(LVReference)需要保持在工作状态：低压基准源(例如带隙基准源)的待机电流通常较小，而高压电荷泵由于其有限的能量转换效率，导致其消耗较大的待机电流。因此，封装后的存储芯片产品的总待机电流，就是封装体内RPMC芯片的待机电流与Flash芯片的待机电流之和，这会使得封装后的存储芯片产品有较大的总待机电流。

发明内容

本申请的目的在于，针对现有技术存在的问题，提供一种存储封装芯片及其控制方法，可以在保证待机启动时间的基础上，降低封装后的存储芯片产品的总待机电流。

为实现上述目的，本申请一实施例提供了一种存储封装芯片的控制方法，所述存储封装芯片包括至少一存储芯片和一扩展芯片，所述扩展芯片和所述存储芯片共享外部引脚，所述扩展芯片包括一指令与控制逻辑器；所述方法包括：以所述扩展芯片的高压电荷泵在激活工作模式时为所述扩展芯片的存储单元的字线电压提供工作电压；以所述指令与控制逻辑器判断所述扩展芯片是否处于接收命令的工作状态；若否，将所述扩展芯片的高压电荷泵关闭，其中，所述扩展芯片的高压电荷泵用于在激活工作模式时为所述扩展芯片的存储单元的字线电压提供工作电压；若是，则将所述扩展芯片的高压电荷泵保持激活工作模式。

为实现上述目的，本申请另一实施例还提供了一种存储封装芯片，包括至少一存储芯片和一扩展芯片，所述扩展芯片和所述存储芯片共享外部引脚；所述扩展芯片包括一高压电荷泵，以用于在激活工作模式时为所述扩展芯片的存储单元的字线电压提供工作电压；所述扩展芯片还包括一指令与控制逻辑器，以用于判断所述扩展芯片是否处于接收命令的工作状态，若否，将所述扩展芯片的高压电荷泵关闭，若是，则将所述扩展芯片的高压电荷泵保持激活工作模式。

本申请的优点在于：通过在存储封装芯片的扩展芯片的指令与控制逻辑器判定所述扩展芯片未处于接收命令的工作状态时，将所述扩展芯片的高压电荷泵关闭，可以在保证待机启动时间的基础上，降低封装后的存储芯片产品的总待机电流，并可以实现快速读的操作、不影响待机启动时间。

附图说明