[发明专利]一种用于水热温差法晶体生长的双层旋转内挡板

权利要求书

1.用于水热温差法晶体生长的双层旋转内挡板，被置于水热高压釜的内腔中，其特征是：包括大小相等、且轴心线相重合的上挡板(1)和下挡板(3)；上挡板(1)位于下挡板(3)的正上方、且上挡板(1)与下挡板(3)之间的间距为可调间距，在上挡板(1)和下挡板(3)之间设置挡板连接柱(2)，所述挡板连接柱(2)分别与上挡板(1)和下挡板(3)相连；

在上挡板(1)上设有至少2圈的矿化剂下降通道，每圈的矿化剂下降通道包括均匀设置的至少2个的上挡板下降通孔(6-1)，在上挡板(1)的边缘处均匀设置一圈矿化剂上升通道，矿化剂上升通道包括均匀设置的至少2个的上挡板上升通孔(6-2)；所述矿化剂上升通道位于矿化剂下降通道的外围；

在下挡板(3)上分别设有下挡板下降通孔(6-3)和下挡板上升通孔(6-4)；

下挡板下降通孔(6-3)的孔径和数量与上挡板下降通孔(6-1)的孔径和数量相同，

下挡板上升通孔(6-4)的孔径和数量与上挡板上升通孔(6-2)的孔径和数量相同，

每个下挡板下降通孔(6-3)与每个下挡板上升通孔(6-4)之间的位置关系与每个上挡板下降通孔(6-1)与每个上挡板上升通孔(6-2)之间的位置关系相同；

相对应的上挡板下降通孔(6-1)和下挡板下降通孔(6-3)的正投影与上挡板(1)轴心线的夹角为大于0°～小于90°。

2.根据权利要求1所述的用于水热温差法晶体生长的双层旋转内挡板，其特征是：

在上挡板(1)的边缘处均匀设置至少2套的定位支架组件(5)，所述定位支架组件(5)用于调整上挡板(1)的轴心线与水热高压釜内腔的轴心线相重合，上挡板(1)与水热高压釜内腔侧壁之间形成间隙。

3.根据权利要求2所述的用于水热温差法晶体生长的双层旋转内挡板，其特征是：每套定位支架组件(5)包括一个定位支架以及与定位支架螺纹相连的螺钉(51)，定位支架与上挡板(1)固定相连，通过调整螺钉(51)使上挡板(1)与水热高压釜内腔侧壁的空隙均匀。

4.根据权利要求2或3所述的用于水热温差法晶体生长的双层旋转内挡板，其特征是：

上挡板下降通孔(6-1)的孔面积之和称为高压釜下降对流截面积；

上挡板上升通孔(6-2)的孔面积以及上挡板(1)和水热高压釜内腔侧壁之间形成的间隙面积之和称为高压釜上升对流截面积；

高压釜下降对流截面积和高压釜上升对流截面积之和占水热高压釜内腔横截面面积的5％-8％。

5.根据权利要求4所述的用于水热温差法晶体生长的双层旋转内挡板，其特征是：

高压釜下降对流截面积＝高压釜上升对流截面积。

6.根据权利要求5所述的用于水热温差法晶体生长的双层旋转内挡板，其特征是：

挡板连接柱(2)与上挡板(1)、下挡板(3)均通过螺纹相连。

7.根据权利要求6所述的用于水热温差法晶体生长的双层旋转内挡板，其特征是：

上挡板(1)与下挡板(3)之间的可调距离为80-150mm。

8.根据权利要求7所述的用于水热温差法晶体生长的双层旋转内挡板，其特征是：

在上挡板(1)的上表面设有用于连接籽晶架的籽晶架连接支架(4)。

9.根据权利要求1～8任一所述的用于水热温差法晶体生长的双层旋转内挡板，其特征是：

每圈矿化剂下降通道包括均匀设置的4个上挡板下降通孔(6-1)，一圈矿化剂上升通道包括均匀设置的4个上挡板上升通孔(6-2)；

相对应的上挡板下降通孔(6-1)和下挡板下降通孔(6-3)的正投影与上挡板(1)轴心线的夹角为5°～45°。

10.根据权利要求1～9任一所述的用于水热温差法晶体生长的双层旋转内挡板，其特征是：

上挡板下降通孔(6-1)的孔径为10～30mm；

上挡板上升通孔(6-2)的孔径为10～30mm。