[发明专利]被加工物的加工方法

说明书

本发明提供被加工物的加工方法，在对正面侧形成有凸块的晶片实施等离子蚀刻的情况下利用树脂膜覆盖晶片的整个正面。该方法具有：保持工序，以与被提供具有流动性的固化性树脂的台的上表面侧相对的方式使被加工物的正面朝下而对被加工物进行保持；覆盖工序，使被加工物向下方移动而将被加工物的正面侧按压于硬化性树脂，从而以硬化性树脂进入凸块与正面之间的间隙中并且凸块埋入硬化性树脂的方式利用硬化性树脂覆盖被加工物的整个正面；硬化工序，使硬化性树脂硬化而形成树脂膜；激光束照射工序，去除各分割预定线上的树脂膜；和分割工序，向被加工物提供等离子化的气体，将树脂膜作为掩模而沿着各分割预定线将被加工物分割成各个器件芯片。

技术领域

本发明涉及设置有多个凸块的被加工物的加工方法。

背景技术

在移动电话、计算机等电子设备中一般搭载有器件芯片。为了制造器件芯片，例如，首先在由硅等半导体形成的晶片的正面侧呈格子状设定多条分割预定线，在由多条分割预定线划分的各区域中形成器件。

然后，使用磨削装置将晶片的背面侧磨削至规定的厚度而使晶片薄化之后，使用切削装置沿着各分割预定线对晶片进行切削。由此，晶片沿着分割预定线被分割，制造出器件芯片。

切削装置一般具有切削单元，该切削单元包含圆柱状的主轴、与主轴的一端侧连结的驱动电动机以及安装于主轴的另一端侧的圆环状的切削刀具。作为切削刀具，例如使用通过形成于圆环状的铝基台的电镀层而固定有磨粒的毂型的切削刀具(例如，参照专利文献1)。

但是，当使用切削刀具对晶片进行切削时，容易在晶片的正面侧形成崩边、裂纹等。如果形成有崩边、裂纹等，则器件芯片的抗折强度降低，因此存在器件芯片的品质降低的问题。

因此，开发并实际使用了代替利用切削刀具对晶片进行切削的方式而通过对晶片实施等离子蚀刻来将晶片切断成各个器件芯片的等离子切割法(例如，参照专利文献2)。

为了通过等离子切割法对晶片进行分割，首先，使用旋涂机利用由感光性有机物质构成的抗蚀剂膜覆盖晶片的正面侧。旋涂机例如具有包含对晶片进行吸引保持的保持面的卡盘工作台。在卡盘工作台的与保持面相反的一侧连结有驱动电动机等旋转驱动源。

为了利用抗蚀剂膜覆盖晶片的正面侧，首先，利用保持面对晶片的背面侧进行保持。然后，在通过旋转驱动源使卡盘工作台进行旋转的状态下，向晶片的正面侧滴下包含感光性有机物质、溶剂等在内的液状的抗蚀剂材料。抗蚀剂材料因离心力而向晶片的外周方向扩展，覆盖晶片的正面侧。然后，当使抗蚀剂材料干燥时，溶剂蒸发，晶片的正面侧被抗蚀剂膜覆盖。

接着，使用曝光装置、显影装置等将位于分割预定线上的抗蚀剂膜去除，从而对抗蚀剂膜进行图案化。然后，将该抗蚀剂膜用作掩模，对晶片实施等离子蚀刻。由此，晶片被分割成各个器件芯片。

另外，以往，为了将器件芯片搭载于电子设备，需要以引线端子露出的方式利用树脂将通过导线而相互连接的器件芯片和引线端子密封，由此形成QFN(Quad Flat Noleaded package：四方扁平无引线封装)等封装。但是，近年来，要求搭载于电子设备的器件芯片的小型化、薄型化、轻量化等。

为了满足该要求，开发了器件芯片与引线端子不通过导线连接且器件芯片的一部分露出的晶片级芯片尺寸封装(Wafer Level Chip Size Package，以下称为WL-CSP)。WL-CSP与QFN等封装相比能够实现小型化等。

在WL-CSP制造用的晶片中，在晶片的正面侧形成有布线层，以局部覆盖该布线层的方式形成有树脂膜，与布线层电连接的多个凸块(即，突起电极)形成为从树脂膜突出。在制造WL-CSP的情况下，也尝试对晶片实施等离子蚀刻而将晶片分割成各个WL-CSP(例如，参照专利文献3)。

专利文献1：日本特开2000-87282号公报

专利文献2：日本特开2006-114825号公报