[发明专利]微珠芯片及其旋涂制备方法

权利要求书

1.一种微珠芯片的旋涂制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

A、蚀刻：将光刻胶均匀旋涂到单晶硅板表面致使形成一层均匀的薄膜，利用光刻机将掩膜板上的图案转移到光刻胶上，在光刻胶镂空的部分用等离子蚀刻技术在硅板表面蚀刻出密集排列的直径与二氧化硅微球近似的小孔；

B、装载二氧化硅微球：

将固体二氧化硅微球注入超纯水中，经过超声分散配制成浓度为5mg/mL-50mg/mL的单分散的二氧化硅胶体溶液；

在留有剩余光刻胶的单晶硅板中间滴入上述二氧化硅胶体溶液，开启旋涂装置10s～30s；干燥；

利用化学溶剂将单晶硅板表面的光刻胶去除，清洗，干燥；

所述的步骤B中，固体二氧化硅微球为共价结合寡核苷酸链的二氧化硅微球，其制备方法包括以下步骤：

a.二氧化硅微球表面修饰氨基

将二氧化硅微球配制成10mg/mL～200mg/mL的二甲苯悬浮液；加入硅烷化试剂，硅烷化试剂在混合液中的体积浓度为10％以下，充分反应，使二氧化硅微球表面修饰上氨基；

b.激活二氧化硅微球

将步骤a获得的表面修饰上氨基的二氧化硅微球悬浮在乙腈中，微球的质量浓度为10mg/mL～200mg/mL；加入二异丙基乙胺和三聚氰氯，摇晃反应；用乙腈清洗去除多余反应物，再让二氧化硅微球悬浮在硼酸钠缓冲液中，调pH值至7.5～8.5；

c.二氧化硅微球共价连接寡核苷酸链

将100nmol待连接的寡核苷酸链干粉用2M的氯化钠溶液溶解，与步骤b获得的二氧化硅微球硼酸钠悬浮液混合，其中二氧化硅微球含量为10～100mg，震荡反应5～8小时后进行1000～3000rpm离心处理，保留上清液；清洗、干燥。

2.根据权利要求1所述的微珠芯片的旋涂制备方法，其特征在于，所述的步骤A中，小孔的深度为1um～2um。

3.根据权利要求1所述的微珠芯片的旋涂制备方法，其特征在于，所述的步骤B中，超声分散功率80W，时间2h。

4.根据权利要求1所述的微珠芯片的旋涂制备方法，其特征在于，所述的步骤B中，滴入二氧化硅胶体溶液550uL～2400uL。

5.根据权利要求1所述的微珠芯片的旋涂制备方法，其特征在于，所述的步骤B中，旋涂装置固定转速500rpm～1200rpm。

6.根据权利要求1所述的微珠芯片的旋涂制备方法，其特征在于，重复步骤B中的旋涂3～5次。

7.根据权利要求1所述的微珠芯片的旋涂制备方法，其特征在于，所述的步骤B中，化学溶剂由体积比2:1的98％浓硫酸与双氧水配置而成。

8.根据权利要求1所述的微珠芯片的旋涂制备方法，其特征在于，所述的步骤a中，二氧化硅微球粒径为500nm～5um。

9.根据权利要求1所述的微珠芯片的旋涂制备方法，其特征在于，所述的步骤a中，硅烷化试剂选自3-氨丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷。

10.根据权利要求1所述的微珠芯片的旋涂制备方法，其特征在于，所述的步骤a中，硅烷化试剂在混合液中的浓度为0.1％～2.5％。

11.根据权利要求1所述的微珠芯片的旋涂制备方法，其特征在于，所述的步骤b中，混合液中二异丙基乙胺浓度为0.3M，三聚氰氯浓度为0.1M。

12.根据权利要求1所述的微珠芯片的旋涂制备方法，其特征在于，所述的步骤b中，硼酸钠缓冲液浓度为0.05M～2M。

13.根据权利要求1所述的微珠芯片的旋涂制备方法，其特征在于，所述的步骤c中，寡核苷酸链的长度为10mer～200mer，末端修饰氨基。