[发明专利]一种难熔金属硅硼涂层的制备方法在审
| 申请号： | 202011463974.5 | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112662989A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 苏琳芬;杨建勇;卓冠群 | 申请（专利权）人： | 华侨大学 |
| 主分类号： | C23C10/52 | 分类号： | C23C10/52;C23C10/02;B22F9/04 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;姜谧 |
| 地址： | 362000 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属硅 涂层 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种难熔金属硅硼涂层的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
(1)将Si粉、B粉、NaF和SiO2置于球磨机中进行球磨，获得混合粉末；
(2)在惰性气体保护下，将上述混合粉末与难熔金属基体或难熔合金基体置于高温管式炉中，通过包埋渗制备硅硼涂层。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述混合粉末中含有Si 20-40wt％、B1-3wt％、NaF 2-5wt％和55-75wt％。
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述混合粉末中含有Si 33-34wt％、B1wt％、NaF 2.5-3wt％和62-63.5wt％。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述惰性气体为氩气。
5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所述氩气的纯度为99.9％。
6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述包埋渗的温度为900-1200℃。
7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述包埋渗的时间为30-60h。
8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中，将所述混合粉末与难熔金属基体或难熔合金基体一同放入氧化铝坩埚内，再置于高温管式炉中。
9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述难熔金属基体为Mo基体。
10.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述难熔合金基体为Nb-Si基体。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C10-00 金属材料表面中仅渗入金属元素或硅的固渗
C23C10-02 .被覆材料的预处理
C23C10-04 .局部表面上的扩散处理，例如使用掩蔽物
C23C10-06 .使用气体的
C23C10-18 .使用液体，例如盐浴、悬浮液的
C23C10-28 .使用固体，例如粉末、膏剂的
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