[发明专利]粘合片剥离方法

权利要求书

1.粘合片剥离方法，其是将包含构成粘合面的粘合剂层的粘合片从该粘合片所接合的被粘物剥离的方法，所述方法包括：

向所述粘合片应用第一剥离力降低手段；以及

向所述粘合片应用第二剥离力降低手段。

2.如权利要求1所述的方法，其中，在应用所述第一剥离力降低手段之后，应用所述第二剥离力降低手段。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中，作为所述第二剥离力降低手段，向所述粘合片的从所述被粘物剥离的剥离前沿供给水性剥离液。

4.如权利要求1～3中任一项所述的方法，其中，作为所述第一剥离力降低手段，进行活性能量射线的照射或加热，由此使所述粘合剂层固化。

5.如权利要求1～4中任一项所述的方法，其中，所述粘合片的初始剥离力F₀为0.30N/20mm以上，

所述初始剥离力F₀利用以下方法测定：将所述粘合面贴附于硅晶片后，在拉伸速度为300mm/分钟、剥离角度为180度的条件下测定剥离强度。

6.如权利要求1～5中任一项所述的方法，其中，所述粘合片的UV后水剥离力Fw_U2小于0.10N/20mm，

所述UV后水剥离力Fw_U2利用以下方法测定：将所述粘合面贴附于硅晶片，进行累积光量为1000mJ/cm²的紫外线照射处理后，向所述粘合片的从所述硅晶片剥离的剥离前沿供给水，在拉伸速度为300mm/分钟、剥离角度为180度的条件下测定剥离强度。

7.如权利要求1～6中任一项所述的方法，其中，所述粘合片的UV后常规剥离力Fd_U1[N/20mm]是UV后水剥离力Fw_U2[N/20mm]的2.0倍以上，

所述UV后常规剥离力Fd_U1[N/20mm]利用以下方法测定：将所述粘合面贴附于硅晶片，进行累积光量为1000mJ/cm²的紫外线照射处理后，在拉伸速度为300mm/分钟、剥离角度为180度的条件下测定剥离强度；

所述UV后水剥离力Fw_U2[N/20mm]利用以下方法测定：将所述粘合面贴附于硅晶片，进行累积光量为1000mJ/cm²的紫外线照射处理后，向所述粘合片的从所述硅晶片剥离的剥离前沿供给水，在拉伸速度为300mm/分钟、剥离角度为180度的条件下测定剥离强度。

8.如权利要求1～7中任一项所述的方法，其中，作为所述粘合片的第一面的所述粘合面被贴附于所述被粘物，通过应用所述第一剥离力降低手段及所述第二剥离力降低手段，使所述第一面的针对所述被粘物的剥离力阶段性地下降，将所述粘合片从所述被粘物剥离。

9.粘合片，其是包含构成粘合面的粘合剂层的粘合片，

所述粘合片用于权利要求1～8中任一项所述的剥离方法中。

10.半导体元件制造方法，其包括下述工序：

工序(1)，将包含构成粘合面的粘合剂层的粘合片的所述粘合面贴合于半导体晶片；

工序(2)，针对贴合了所述粘合片的半导体晶片，从与该粘合片相反的一侧实施加工；和

工序(3)，利用权利要求1～8中任一项所述的剥离方法，将所述粘合片从所述加工后的半导体晶片剥离。