[发明专利]SOI衬底的处理方法

权利要求书

1.一种SOI衬底的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供SOI衬底，所述SOI衬底由底部半导体层、绝缘埋层和顶部半导体层叠加而成；

所述底部半导体层的体掺杂浓度根据SOI器件工艺需求设置；

在具有静电卡盘的工艺腔中所述底部半导体层的背面为和所述静电卡盘相接触并实现静电吸附的表面；

在后续步骤二之前还包括：

在所述SOI衬底的正面形成保护层，所述保护层用于在背面掺杂离子注入中对所述SOI衬底的正面进行保护；

所述保护层采用炉管工艺形成，所述保护层也会同时形成于所述SOI衬底的背面，步骤二中，所述背面掺杂离子注入会穿过所述SOI衬底背面的所述保护层；

步骤二、从所述底部半导体层的背面进行背面掺杂离子注入以增加所述底部半导体层背面的掺杂浓度，所述底部半导体层背面的掺杂浓度根据增加所述底部半导体层和所述静电卡盘的静电吸附力的要求设置，以使所述底部半导体层在具有所述静电卡盘的所述工艺腔不会掉片。

2.如权利要求1所述的SOI衬底的处理方法，其特征在于：步骤一中，根据所述SOI器件工艺需求，所述底部半导体层的体掺杂浓度对应电阻率大于1000Ω·cm。

3.如权利要求2所述的SOI衬底的处理方法，其特征在于：步骤二中，所述背面掺杂离子注入的注入杂质为P型杂质或者为N型杂质。

4.如权利要求3所述的SOI衬底的处理方法，其特征在于：所述背面掺杂离子注入的注入杂质为P型杂质时，P型杂质包括B，注入能量为5keV～400keV，注入剂量为5E11cm^-2～5E13cm^-2。

5.如权利要求3所述的SOI衬底的处理方法，其特征在于：所述背面掺杂离子注入的注入杂质为N型杂质时，N型杂质包括P，注入能量为8keV～800keV，注入剂量为5E11cm^-2～5E13cm^-2。

6.如权利要求1至5中任一权项所述的SOI衬底的处理方法，其特征在于：步骤二完成后，还包括对所述背面掺杂离子注入的注入杂质进行退火激活的步骤。

7.如权利要求6所述的SOI衬底的处理方法，其特征在于：所述退火为热退火，退火温度为900℃～1100℃，退火时间为小于等于30s。

8.如权利要求1所述的SOI衬底的处理方法，其特征在于：所述保护层的材料包括氧化层、氮化层或氮氧化层。

9.如权利要求8所述的SOI衬底的处理方法，其特征在于：所述保护层采用CVD沉积工艺形成。

10.如权利要求1或8或9所述的SOI衬底的处理方法，其特征在于：步骤二之后，还包括去除所述保护层的步骤。

11.如权利要求1所述的SOI衬底的处理方法，其特征在于：所述底部半导体层的材料包括硅，所述顶部半导体层的材料包括硅；所述绝缘埋层的材料包括氧化层。

12.如权利要求1所述的SOI衬底的处理方法，其特征在于：所述SOI器件包括SOI射频器件。

13.如权利要求1所述的SOI衬底的处理方法，其特征在于：所述具有静电卡盘的工艺腔包括离子注入工艺腔。