[发明专利]嵌入式存储工艺中逻辑器件隔离的制作方法

说明书

本发明公开了一种嵌入式存储工艺中逻辑器件隔离的制作方法，包括以下步骤：在硅衬底上依次生成浮栅氧化层、浮栅多晶硅层、垫层氮化硅；进行浅槽隔离光刻；进行竖向干法刻蚀，去除浅槽隔离区域的垫层氮化硅及浮栅多晶硅，保留浮栅氧化层；进行酸蚀氮化硅沉积；进行竖向干法刻蚀，去除浅槽隔离处底部酸蚀氮化硅及其下毗连的部分硅衬底形成沟槽，并保留浮栅多晶硅近浅槽隔离侧的酸蚀氮化硅；进行浅槽隔离横向氮化硅酸槽蚀刻，去除浮栅多晶硅近浅槽隔离侧的酸蚀氮化硅；进行浅槽隔离氧化硅填充；进行化学机械研磨，形成逻辑器件隔离。本发明能确保嵌入式存储工艺中形成的逻辑器件保持和逻辑工艺形成的逻辑器件有一样的特性。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术，特别涉及一种嵌入式存储工艺中逻辑器件隔离的制作方法。

背景技术

随着各方面智能化的推进及物联网的发展，MCU(微处理器)的应用和需求不断扩大，嵌入式存储工艺作为MCU的首选，同时希望能够充分利用已有逻辑工艺中的各种IP(intellectual property core，知识产权核)，省去重新开发验证的周期，这就需要保证嵌入式存储工艺中的逻辑器件特性和原逻辑工艺保持一致，而器件的隔离工艺直接影响着窄沟道器件性能，对器件特性能否保持一致起着非常关键的作用。

如图1、图2、图3及图4所示，逻辑工艺中的逻辑器件隔离模块的形成包括以下步骤：

(一).在硅片1上生成一垫层二氧化硅，并在垫层二氧化硅上沉积一氮化硅层；

(二).进行浅槽隔离(STI)光刻、刻蚀；

(三).进行浅槽隔离(STI)横向氮化硅酸槽蚀刻(SiN pull-back)；

(四).进行浅槽隔离(STI)氧化硅填充及化学机械研磨(Oxide Filling andCMP)。

如图5、图6及图7所示，常见的存储工艺中的隔离模块的形成包括以下步骤：

(一).在硅片1上生成浮栅氧化层，浮栅氧化层上生成栅极多晶硅层，在栅极多晶硅层上沉积在一垫层氮化硅Si3N4；

(二).进行浅槽隔离(STI)光刻、刻蚀；

(三).进行浅槽隔离(STI)氧化硅填充及化学机械研磨(Oxide Filling andCMP)。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种嵌入式存储工艺中逻辑器件隔离的制作方法，能确保嵌入式存储工艺中形成的逻辑器件保持和逻辑工艺形成的逻辑器件有一样的特性。

为解决上述技术问题，本发明提供的嵌入式存储工艺中逻辑器件隔离的制作方法，包括以下步骤：

一.在硅衬底1上生成浮栅氧化层2，在浮栅氧化层2上生成浮栅多晶硅层3，在浮栅多晶硅层3上沉积垫层氮化硅41；

二.进行浅槽隔离光刻；

三.进行竖向干法刻蚀，去除浅槽隔离区域的垫层氮化硅41及浮栅多晶硅层3，保留浮栅氧化层2；

四.进行酸蚀氮化硅42沉积；

五.进行竖向干法刻蚀，去除浅槽隔离处底部酸蚀氮化硅42及其下毗连的部分硅衬底形成沟槽5，并保留浮栅多晶硅层3近浅槽隔离侧的酸蚀氮化硅42；

六.进行浅槽隔离横向氮化硅酸槽蚀刻，去除浮栅多晶硅层3近浅槽隔离侧的酸蚀氮化硅42；

七.进行浅槽隔离氧化硅填充；

八.进行化学机械研磨，形成逻辑器件隔离。

较佳的，步骤三中，槽隔离区域的宽度为

步骤五形成的沟槽5开口宽度为