[发明专利]一种采用IGBT串联结构的故障电流限制器在审
申请号: | 202011462641.0 | 申请日: | 2020-12-09 |
公开(公告)号: | CN112542943A | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 伍伟;李岩松;古湧乾 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H02M1/34 | 分类号: | H02M1/34 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 采用 igbt 串联 结构 故障 电流 限制器 | ||
1.一种采用IGBT串联结构的故障电流限制器,包括串联的第1、2...n绝缘栅双极型晶体管(Q1)、(Q2)...(Qn),由控制器(Ctrl1)、电流比较器(Icom)以及参考电流(Iref)组成的电流控制模块,由控制器(Ctrl2)、(Ctrl3)...(Ctrln)和电压比较器(Vcom2)、(Vcom3)...(Vcomn)组成的电压控制模块。
2.根据权利要求1所述的采用IGBT串联结构的故障电流限制器,其特征在于,第一绝缘栅双极型晶体管的发射极E与断路器(SW)和负载(R)的串联线路相连,作为故障电流限流器的输入点(M),第n绝缘栅双极型晶体管的集电极C与高压直流电源相连,作为故障限流器的输出点(N)。
3.根据权利要求1和2所述的采用IGBT串联结构的故障电流限制器,其特征是,第1、2...n绝缘栅双极型晶体管(Q1)、(Q2)...(Qn)相互串联,第n绝缘栅双极型晶体管的发电极E与第n-1绝缘栅双极型晶体管的发电极C相连。
4.根据权利要求1和2所述的采用IGBT串联结构的故障电流限制器,其特征在于,所述电流控制模块中电流比较器(Icom)的输入为负载电流(Iload)、第一绝缘栅双极型晶体管Q1的集射电流值(IFB1)以及参考电流(Iref),参考电流(Iref)取系统正常工作时第一绝缘栅双极型晶体管Q1的集射电流值,电流比较器(Icom)的输出端与第一控制器(Ctrl1)的输入端相连。第一控制器(Ctrl1)的输出端与第一绝缘栅双极型晶体管Q1的栅极G相连。
5.根据权利要求1和2所述的采用IGBT串联结构的故障电流限制器,其特征是,所述电压控制模块中第n控制器(Ctrln)的输入为第n-1个绝缘栅双极型晶体管Qn-1的集射电压值(VQn-1FB)、第n个绝缘栅双极型晶体管Qn的集射电压值(VQnFB)和第n个绝缘栅双极型晶体管Qn的发射极电压值(En),第n控制器的输出端与第n个绝缘栅双极型晶体管Qn的栅极G相连。
6.根据权利要求1所述的采用IGBT串联结构的故障电流限制器,其特征在于,用总线电压除以每个IGBT所能承受的最大电压可以计算IGBT串联的个数n,用IGBT所能承受的最大功率除以负载电流与IGBT承受电压的乘积计算最大允许短路时间。
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