[发明专利]一种氧化镍电致变色薄膜及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种氧化镍电致变色薄膜的制备方法，其特征在于包括：

采用磁控溅射技术，以共掺杂氧化镍M_xT_yNi_zO为阴极靶材，以惰性气体为工作气体，在基体表面沉积形成氧化镍薄膜，其中，第一掺杂元素M选自钠、钾、铷、铯中的至少一种，第二掺杂元素S选自硅、锆中的至少一种，x∶y∶z＝(0.1～1)∶(0.01～0.5)∶1；所述磁控溅射技术采用的工艺条件包括：溅射方式为射频溅射或者中频溅射，工作气体为惰性气体，基体温度为25～200℃，反应腔室真空度为0.1×10^-2Pa～10×10^-2Pa，溅射气压为0.4～2.0Pa，溅射功率密度为2.2W/cm²～6.6W/cm²，沉积时间为20～60min；以及，

将所述氧化镍薄膜置于快速退火设备中，在空气气氛下，以30～100℃/s的升温速率升温至300～600℃，并保温1～10min，之后冷却，再于100℃以下取出，获得氧化镍电致变色薄膜；

所述氧化镍电致变色薄膜光滑紧实，具有(111)的择优取向以及均匀分布的针孔状结构，其用以在电致变色过程中为锂离子快速移动提供大量的通道；所述氧化镍电致变色薄膜中+3价镍的含量占整个镍元素含量的60％以上，在550nm条件下，褪色态的透过率在93.3％以上，光学调制幅度在37％以上，褪色态颜色呈现中性色，电荷容量在14.8mC·cm^-2以上，着褪色响应时间分别小于9s和3s。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述惰性气体包括氩气。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述基体为导电玻璃。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述基体选自ITO、FTO、AZO、GZO导电玻璃中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述氧化镍电致变色薄膜的厚度为100～300nm。

6.由权利要求1-5中任一项所述制备方法制得的氧化镍电致变色薄膜在制备电致变色器件中的用途。

7.一种离子储存层，其特征在于包括由权利要求1-5中任一项所述制备方法制得的氧化镍电致变色薄膜。

8.一种电致变色器件，其特征在于包括权利要求7所述的离子储存层。