[发明专利]一种忆阻器存内计算系统的误操作检测装置及系统有效

专利信息
申请号: 202011461486.0 申请日: 2020-12-08
公开(公告)号: CN112599168B 公开(公告)日: 2022-05-20
发明(设计)人: 王超;余国义;许家瑞;詹翊 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 李智
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 忆阻器存内 计算 系统 操作 检测 装置
【权利要求书】:

1.一种忆阻器存内计算系统的误操作检测装置,其特征在于,包括选通模块(1)、控制模块(2)和检测模块(3);

所述选通模块(1)用于选通忆阻器单元,所述忆阻器单元用于执行蕴含逻辑和/或假逻辑;

当所述忆阻器单元执行蕴含逻辑时,所述控制模块(2)用于控制所述检测模块(3)检测所述忆阻器单元是否处于(低阻态,高阻态)输入模式并生成相应的标记结果,以及用于控制所述检测模块(3)检测所述忆阻器单元公共节点的电位,所述公共节点为忆阻器单元输出节点SL,并根据所述标记结果、以及所述公共节点的电位与第一参考电压之间的大小关系生成所述蕴含逻辑的操作结果;

当所述忆阻器单元执行假逻辑时,所述控制模块(2)用于控制所述检测模块(3)检测所述忆阻器单元输出节点的电位,并根据所述输出节点的电位与第二参考电压之间的大小关系生成所述假逻辑的操作结果。

2.如权利要求1所述的忆阻器存内计算系统的误操作检测装置,其特征在于,所述第一参考电压介于所述(低阻态,高阻态)输入模式对应公共节点的电位和(低阻态,低阻态)输入模式对应公共节点的电位之间;

当所述公共节点的电位低于所述第一参考电压,且所述忆阻器单元不处于所述(低阻态,高阻态)输入模式时,所述蕴含逻辑为(高阻态,高阻态)输入模式下的误操作;当所述公共节点的电位高于所述第一参考电压,且所述忆阻器单元处于所述(低阻态,高阻态)输入模式时,所述蕴含逻辑为(低阻态,高阻态)输入模式下的误操作;否则,所述蕴含逻辑为正确操作。

3.如权利要求1所述的忆阻器存内计算系统的误操作检测装置,其特征在于,当所述输出节点的电位低于所述第二参考电压时,所述假逻辑为误操作,否则,所述假逻辑为正确操作。

4.如权利要求1-3任一项所述的忆阻器存内计算系统的误操作检测装置,其特征在于,所述检测模块(3)包括电压比较器(31)、第一触发器(32)、多路选择器(33)、异或门(34)和第二触发器(35);

所述电压比较器(31)的正输入端连接所述忆阻器单元的输出节点,所述电压比较器(31)的负输入端为参考电压输入端子,所述电压比较器(31)的输出端连接所述第一触发器(32)的输入端和所述异或门(34)的一输入端;所述第一触发器(32)的输出端连接所述多路选择器(33)的一输入端;所述多路选择器(33)的输出端连接所述异或门(34)的另一输入端;所述异或门(34)的输出端连接所述第二触发器(35)的输入端。

5.如权利要求4所述的忆阻器存内计算系统的误操作检测装置,其特征在于,当所述忆阻器单元执行蕴含逻辑时,所述控制模块(2)选通所述多路选择器(33)与第一触发器(32)连接的支路。

6.如权利要求4所述的忆阻器存内计算系统的误操作检测装置,其特征在于,当所述忆阻器单元执行假逻辑时,所述控制模块(2)选通所述多路选择器(33)与电源电压连接的支路。

7.一种忆阻器存内计算系统,其特征在于,包括自适应脉冲电压调制模块(4)、一个及以上的存内计算模块(5),每一所述存内计算模块(5)中设置有如权利要求1-6任一项所述的忆阻器存内计算系统的误操作检测装置,所述忆阻器存内计算系统的误操作检测装置与所述自适应脉冲电压调制模块(4)相连接。

8.如权利要求7所述的忆阻器存内计算系统,其特征在于,当任一忆阻器单元的蕴含逻辑为(高阻态,高阻态)输入模式下的误操作时,所述自适应脉冲电压调制模块(4)用于增大输入至所述任一忆阻器单元的脉冲电压的脉宽和/或幅值;当任一忆阻器单元的蕴含逻辑为(低阻态,高阻态)输入模式下的误操作时,所述自适应脉冲电压调制模块(4)用于减小输入至所述任一忆阻器单元的脉冲电压的脉宽和/或幅值。

9.如权利要求7所述的忆阻器存内计算系统,其特征在于,当任一忆阻器单元的假逻辑为误操作时,所述自适应脉冲电压调制模块(4)用于增大输入至所述任一忆阻器单元的脉冲电压的脉宽和/或幅值。

10.如权利要求7-9任一项所述的忆阻器存内计算系统,其特征在于,每一所述存内计算模块(5)中还设置有数据交互模块(6),所述数据交互模块(6)用于实现相连存内计算模块(5)之间误操作信息的交互。

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