[发明专利]一种碳化硅晶体取下装置

说明书

本发明提供一种碳化硅晶体取下装置，涉及碳化硅生产领域。该装置包括两个支撑盘和三个连接杆，三个连接杆位于两个支撑盘之间，三个连接杆的上下两端分别与两个支撑盘互相靠近的一面固定连接，三个连接杆的下端均安装有装夹机构，三个连接杆上端之间设置有挤压机构，挤压机构通过三个横板A与三个连接杆固定连接。该碳化硅晶体取下装置设置装夹机构、挤压机构和敲击机构，通过调节装夹机构，可以将坩埚或籽晶托架固定住，通过控制电机旋转，带动带轮旋转，两个楔形板可以重叠，楔形板逐渐挤压受力板，压盘对晶体产生缓慢且均匀的压力，可使晶体完整脱落，解决了现有技术用直接顶出方式使晶体脱落不均匀导致破裂的问题。

技术领域

本发明涉及碳化硅生产领域，具体为一种碳化硅晶体取下装置。

背景技术

碳化硅(SiC)单晶具有高导热率、高击穿电压、载流子迁移率极高、化学稳定性很高等优良的半导体物理性质，可以制作成在高温、强辐射条件下工作的高频、高功率电子器件和光电子器件，在国防、高科技、工业生产、供电、变电领域有巨大的应用价值，被看作是极具发展前景的第三代宽禁带半导体材料。

目前，物理气相沉积法(PVT)是生长碳化硅晶体通常使用的方法，该方法中以碳化硅粉末为原材料，将坩埚中的碳化硅粉末加热到一定温度就会显著升华，而分解的碳化硅气体会沿着温度梯度输运并在碳化硅籽晶处凝聚。通常，将籽晶放置在中空贯通的籽晶托架上端，籽晶托架放置在坩埚内部，盖上坩埚盖；或者将籽晶直接置于坩埚上端，再盖上坩埚盖，用于籽晶的生长。晶体生长结束后，需要取出晶体，附着在坩埚或籽晶托架上的晶体，目前全靠手工在操作台上撞击坩埚或籽晶托架取出，易造成晶体开裂，效率低。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供了一种碳化硅晶体取下装置，解决了现有碳化硅晶体取出装置采用直接顶出方式使晶体脱落不均匀导致破裂的问题。

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种碳化硅晶体取下装置，包括两个支撑盘和三个连接杆，三个连接杆位于两个支撑盘之间，三个连接杆的上下两端分别与两个支撑盘互相靠近的一面固定连接。

三个连接杆的下端均安装有装夹机构，三个连接杆上端之间设置有挤压机构，挤压机构通过三个横板A与三个连接杆固定连接，三个连接杆之间设置有敲击机构，敲击机构通过三个横板B与三个连接杆固定连接，敲击机构套接在挤压机构的外部，敲击机构与挤压机构传动连接。

所述挤压机构包括套筒、压杆、压盘和弹簧，套筒与三个横板A互相靠近的一端固定连接，压杆的上端插接在套筒的内部，压盘与压杆的下端固定连接，压杆的外部套接有挡板，弹簧套接在压杆的外部，弹簧位于挡板的下方，弹簧的上端与挡板的底面固定连接，弹簧的下端与套筒的下端固定连接，压杆的上端与套筒的内顶壁均固定安装有受力板，套筒的圆周面固定安装有固定套，固定套的内部转动插接有螺纹杆A，螺纹杆A的前后两端均螺纹套接有螺纹套A，两个螺纹套A互相靠近的一端均铰接有楔形板，两个楔形板互相靠近的一端均贯穿套筒并且位于两个受力板之间，套筒的下端设置有异形轮，异形轮套接在压杆的外部，套筒通过若干个斜板A与异形轮固定连接，敲击机构与异形轮传动连接。

所述装夹机构包括套环、电机、带轮和固定环，套环与三个横板B互相靠近的一面固定连接，带轮的的下端贯穿套环并与其转动连接，带轮的底面通过若干个斜板B与固定环固定连接，电机与横板B固定连接，电机的输出轴通过皮带与带轮传动连接，固定环的外部铰接有若干个摇杆，摇杆的下端均安装有敲击块，若干个摇杆与异形轮传动连接。

优选的，所述挤压机构包括导轨、夹块、螺纹杆B和螺纹套B，导轨与连接杆固定连接，夹块的下端与导轨滑动连接，螺纹套B与导轨的外端固定连接，螺纹杆B的一端与夹块转动连接，螺纹杆B的另一端贯穿螺纹套B并与其螺纹连接。

优选的，两个受力板互相靠近的一面均为锥面结构，两个楔形板互相靠近的一端均为斜面尖端状结构，两个楔形板反向设置。

优选的，所述异形轮与套筒同心设置，异形轮的圆周面为凹凸不平状结构。