[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括至少一个半导体基底，至少一个所述半导体基底具有器件区和标记区；

其中，所述器件区中的至少一元器件和所述标记区中的至少一标记均基于同一光罩在同一工艺中形成，以使所述元器件和所述标记均伸入至所述半导体基底中，并且所述标记伸入所述半导体基底的最大深度小于所述元器件伸入所述半导体基底的最小深度。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述元器件伸入所述半导体基底的最小深度为所述标记伸入所述半导体基底的最大深度的N倍，其中，所述N为正整数。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括至少两个依次对准键合设置的半导体基底，每个所述半导体基底中均设有所述标记和所述元器件，至少两个所述半导体基底中的所述标记在所述半导体基底上的投影至少部分重叠。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述标记的形状为圆形、方形、三角形、十字形或包括多个由间隙分开的平行线。

5.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

制备至少一个半导体基底，其中，至少一个所述半导体基底具有标记区和器件区；

在所述器件区形成至少一个元器件，同时在所述标记区形成至少一个标记，并使所述标记和所述元器件均伸入所述半导体基底，以及使所述标记伸入所述半导体基底的最大深度大于所述元器件伸入所述半导体基底的最小深度。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述标记和所述元器件的方法包括：

在所述半导体基底上形成掩膜材料层；

提供并对准具有至少一个标记图形和至少一个元器件图形的掩模版，对所述掩膜材料层执行光刻工艺，以将所述掩模版上的所述标记图形和所述元器件图形复制至所述掩膜材料层，以形成图案化的掩膜层；

以所述掩膜层为掩膜刻蚀所述半导体基底，以在所述半导体基底的所述标记区中形成至少一个标记开口，并在所述器件区形成至少一个元器件开口，所述标记开口的最大深度小于所述元器件开口的最小深度；

在所述标记开口和所述元器件开口内同时形成所述标记和所述元器件。

7.如权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述元器件开口的最小深度为所述标记开口的最大深度的N倍，其中N为正整数。

8.如权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在执行所述光刻工艺时，照射到所述标记图形的光的透过量小于照射到所述元器件图形的光的透过量。

9.如权利要求8述的半导体器件的制备方法，其特征在于，照射到所述元器件图形的光的透过量是照射到所述标记图形的光的透过量的N倍，所述N为正整数。

10.如权利要求6述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在执行所述光刻工艺时，所述标记图形对应的光照能量小于所述元器件图形对应的光照能量，且所述标记图形对应的焦距小于所述元件器图形对应的焦距。

11.如权利要求10述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述元器件图形对应的光照能量是所述标记图形对应的光照能量的N倍，及所述元器件图形对应的焦距是所述标记图形对应的焦距的N倍，其中，所述N为正整数。

12.如权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述掩模版具有多个标记图形和多个元器件图形，并且所述多个标记图形的排布密度小于所述多个元器件图形的排布密度。

13.如权利要求12所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述多个元件器图形的排布密度是所述多个标记图形的排布密度的N倍，其中，所述N为正整数。