[发明专利]半导体装置组合件的无焊互连件

权利要求书

1.一种方法，其包括：

在半导体裸片上形成第一金属结构，所述第一金属结构包含远离所述半导体裸片的第一顶面；

在衬底上形成第二金属结构，所述第二金属结构包含远离所述衬底的第二顶面；使所述第一金属结构与所述第二金属结构对准，使得所述第一顶面面向所述第二顶面；及

通过用无电镀液在所述第一顶面及所述第二顶面两者上同时镀覆导电材料来结合所述第一顶面及所述第二顶面。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在所述第一顶面与所述第二顶面之间注入所述无电镀液，其中镀覆所述导电材料是至少部分基于注入所述无电镀液。

3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：

加热注入于所述第一顶面与所述第二顶面之间的所述无电镀液，其中镀覆所述导电材料是至少部分基于加热所述无电镀液。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在使所述第一金属结构与所述第二金属结构对准之前，将一或多个粘合构件附接到所述半导体裸片。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述一或多个粘合构件经配置以促进所述无电镀液流入或流出。

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在形成所述导电材料之前，使用一或多个粘合构件将所述半导体裸片接合到所述衬底。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述一或多个粘合构件的厚度经配置以在将所述半导体裸片接合到所述衬底之后在所述第一顶面与所述第二顶面之间提供间隔，所述间隔小于所述第一金属结构与所述半导体裸片上相邻于所述第一金属结构的第三金属结构之间的横向距离。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一金属结构、所述第二金属结构及所述导电材料分别包含铜作为主要组分。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包含封装支撑衬底或第二半导体裸片。

10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

将所述半导体裸片带到所述衬底，使得已与所述第二金属结构对准的所述第一金属结构在所述第一顶面与所述第二顶面之间间隔一间隙，其中所述间隙小于所述第一金属结构与所述半导体裸片上相邻于所述第一金属结构的第三金属结构之间的横向距离。

11.一种方法，其包括：

在第一半导体裸片上形成第一多个铜柱及在第二半导体裸片上形成第二多个铜柱，其中半导体晶片包含所述第一及第二半导体裸片；

在封装支撑衬底上形成第一群组的导电凸块及第二群组的导电凸块；

使所述第一及第二多个中的个别铜柱与所述第一及第二群组中的个别导电凸块对准，其中所述第一及第二多个铜柱面向所述第一及第二群组的导电凸块；及

经由形成于在所述第一及第二多个铜柱与所述第一及第二群组的导电凸块之间注入的无电镀液中的导电材料将所述第一及第二多个中的个别铜柱连接到所述第一及第二群组中的个别导电凸块。

12.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括：

在将所述第一及第二多个中的所述个别铜柱连接到所述第一及第二群组中的所述个别导电凸块之前，使用一或多个粘合构件将所述半导体晶片接合到所述封装支撑衬底。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述一或多个粘合构件的厚度经配置以在将所述半导体晶片接合到所述封装支撑衬底之后在所述第一及第二多个中的所述铜柱的第一顶面与所述第一及第二群组中的所述导电凸块的第二顶面之间提供间隔，所述间隔小于所述第一多个或所述第二多个中的所述铜柱之间的横向距离。