[发明专利]显示模组及显示装置有效
申请号: | 202011455089.2 | 申请日: | 2020-12-10 |
公开(公告)号: | CN112599574B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 陈毅成;胡迟 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杜蕾 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 模组 显示装置 | ||
1.一种显示模组,其特征在于,包括:阵列基板和柔性线路板;
所述阵列基板的第一侧面具有绑定区,所述绑定区位于所述侧面的第一边缘,所述第一边缘为所述第一侧面靠近所述柔性线路板的边缘;所述绑定区包括具有第一连接端子的导电区,及自第二侧面凹陷形成的避让区,所述第二侧面为所述阵列基板靠近所述柔性线路板的表面,所述避让区和所述导电区沿所述阵列基板远离所述柔性线路板的方向依次分布;
所述柔性线路板,包括层叠设置的导电层和保护层,所述柔性线路板具有与所述阵列基板电连接的第二边缘,所述导电层靠近所述第二边缘的一侧具有伸出于所述保护层侧边的连接部,所述连接部靠近所述保护层一侧的表面设置有第二连接端子,所述连接部靠近所述保护层一侧的表面通过导电胶与所述导电区的表面粘接,以使所述第一连接端子与所述第二连接端子电连接,所述保护层靠近所述第二边缘的部分与所述避让区位置对应。
2.根据权利要求1所述的显示模组,其特征在于,所述避让区凹陷的深度小于所述保护层的厚度。
3.根据权利要求2所述的显示模组,其特征在于,所述避让区凹陷的深度大于或等于5um,且小于或等于15um。
4.根据权利要求2所述的显示模组,其特征在于,所述避让区在所述避让区和所述导电区分布方向上的宽度大于或等于20um,且小于或等于60um。
5.根据权利要求2所述的显示模组,其特征在于,所述保护层背离所述导电层的表面与所述避让区的表面相对;所述绑定区包括连接在所述导电区表面和所述避让区表面之间的过渡表面,所述过渡表面与所述保护层靠近所述第二边缘的第一侧边面相对;
所述过渡表面的延伸方向为所述阵列基板的厚度方向。
6.根据权利要求5所述的显示模组,其特征在于,所述保护层背离所述导电层的表面与所述避让区的表面贴合;和/或,
所述过渡表面与所述第一侧边面贴合。
7.根据权利要求5所述的显示模组,其特征在于,所述保护层背离所述导电层的表面与所述避让区的表面通过导电胶粘接;和/或,
所述过渡表面与所述第一侧边面通过导电胶粘接。
8.根据权利要求5所述的显示模组,其特征在于,所述阵列基板包括连接在所述避让区的表面远离所述过渡表面一侧的第二侧边面,所述第二侧边面与所述保护层背离所述导电层一侧的表面之间通过导电胶粘接。
9.根据权利要求1所述的显示模组,其特征在于,所述阵列基板包括层叠设置的聚酰亚胺层、缓冲层、第一绝缘层、第二绝缘层和层间绝缘层;
所述缓冲层、第一绝缘层、第二绝缘层和层间绝缘层位于所述导电区内,沿所述阵列基板的厚度方向依次设置在所述聚酰亚胺层上。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至9中任一项所述的显示模组。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的