[发明专利]TMR磁场传感器在审
| 申请号： | 202011454257.6 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN112557972A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 刘明;关蒙萌;黄豪;胡忠强;周子尧;朱家训 | 申请（专利权）人： | 珠海多创科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 广东朗乾律师事务所 44291 | 代理人： | 杨焕军;朱鹏 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tmr 磁场 传感器 | ||
1.TMR磁场传感器，包括：基片以及设置于所述基片上的一个或多个TMR磁传感器芯片，其特征在于：所述TMR磁传感器芯片相对于所述基片表面倾斜设置，所述TMR磁传感器芯片的易轴方向与待测的外磁场方向存在夹角。
2.如权利要求1所述的TMR磁场传感器，其特征在于：所述基片上设置有从其表面向内凹陷的凹槽，所述凹槽具有用于固定所述TMR磁传感器芯片的斜面，所述凹槽内填充覆盖所述TMR磁传感器芯片的塑封层。
3.如权利要求2所述的TMR磁场传感器，其特征在于：所述凹槽的竖截面形状为等腰三角形或等腰梯形。
4.如权利要求1所述的TMR磁场传感器，其特征在于：所述基片上设置有第一TMR磁传感器芯片和第二TMR磁传感器芯片，所述第一TMR磁传感器芯片的易轴正方向和所述第二TMR磁传感器芯片的易轴正方向相反，所述第一TMR磁传感器芯片和第二TMR磁传感器芯片连接成全桥电路结构。
5.如权利要求1或4所述的TMR磁场传感器，其特征在于：所述基片底面设置有重布线层，所述重布线层通过从所述基片底面贯穿至所述TMR磁传感器芯片的芯片焊盘的金属插塞与所述TMR磁传感器芯片相连，所述重布线层的底面设置有用于TMR磁场传感器的供电及信号输出的传感器外接焊盘。
6.如权利要求4所述的TMR磁场传感器，其特征在于：所述基片上设置有从其表面向内凹陷的第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽具有用于固定所述第一TMR磁传感器芯片的第一斜面，所述第二凹槽具有用于固定所述第二TMR磁传感器芯片的第四斜面。
7.如权利要求6所述的TMR磁场传感器，其特征在于：所述第一斜面相对于基片表面的倾斜角度和所述第四斜面相对于基片表面的倾斜角度相同，或者所述第一斜面相对于基片表面的倾斜角度和所述第四斜面相对于基片表面的倾斜角度相差90°。
8.如权利要求1所述的TMR磁场传感器，其特征在于：还包括覆盖所述基片表面的金属层。
9.如权利要求1所述的TMR磁场传感器，其特征在于：所述基片上设置多个TMR磁传感器芯片时，所有TMR磁传感器芯片设置于同一高度。
10.如权利要求1所述的TMR磁场传感器，其特征在于：TMR磁传感器芯片工作时，感测外磁场在所述TMR磁传感器芯片的易轴方向上的磁场分量。
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