[发明专利]一种硅基光电子一体化成像系统有效
| 申请号: | 202011453064.9 | 申请日: | 2020-12-11 |
| 公开(公告)号: | CN112637525B | 公开(公告)日: | 2023-05-26 |
| 发明(设计)人: | 徐碧洁;姜明勇;易辉;杜姝函;王昊月;王得成;陈向宁 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军战略支援部队航天工程大学 |
| 主分类号: | H04N25/76 | 分类号: | H04N25/76;G02B27/30;G02B27/28 |
| 代理公司: | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人: | 温子云 |
| 地址: | 101416 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 光电子 一体化 成像 系统 | ||
1.一种硅基光电子一体化成像系统,该系统包括前端透镜组、成像模块(4)和计算图像处理模块(5);其特征在于,所述前端透镜组由按照光入射方向依次排列的超透镜(1)、超表面准直透镜(2)和平面硅基光波导(3)组成;所述超透镜(1)以硅为基底,通过设计超透镜表面的纳米柱的参数,实现对通过光波的振幅、相位、偏振的调控;所述平面硅基光波导(3)中含有具有表面等离子基元放大作用的贵金属纳米粒子;光束依次通过超透镜(1)、超表面准直透镜(2)和平面硅基光波导(3)入射到成像模块(4),成像模块(4)与计算图像处理模块(5)相连;
该系统包括2个所述前端透镜组,包括第一超透镜(11)、第二超透镜(12)、第一超表面准直透镜(21)、第二超表面准直透镜(22)、第一平面硅基光波导(31)和第二平面硅基光波导(32);所述成像模块(4)采用CMOS干涉成像模块;2个前端透镜组出射的光波共同入射到CMOS干涉成像模块产生干涉;
所述超透镜(1)设计为具有偏振功能,使得本成像系统形成偏振成像系统;
所述超透镜(1)设计为可以对左旋偏振光和右旋偏振光进行同时成像;
光波束分别通过第一超透镜(11)和第二超透镜(12)进入第一超表面准直透镜(21)和第二超表面准直透镜(22),实现光波束的准直化,空间光子分别进入高稳定光学特性的第一平面硅基光波导(31)、第二平面硅基光波导(32),波导中的贵金属纳米粒子产生表面等离子体共振效应,可以在实现光子信号传输的同时最大限度的实现光子信号的放大,从而获得基本成像条件所需的空间光子功率与相位,之后进入CMOS干涉成像模块,实现光信号到可量化的电信号的转化,最后通过计算图像处理模块生成数字图像。
2.根据权利要求1所述的一种硅基光电子一体化成像系统,其特征在于:所述超透镜(1)、超表面准直透镜(2)、平面硅基光波导(3)的直径设计为400um-600um。
3.根据权利要求1所述的一种硅基光电子一体化成像系统,其特征在于:所述超透镜(1)的方形基底尺寸为500um×500um。
4.根据权利要求1所述的一种硅基光电子一体化成像系统,其特征在于:所述超透镜(1)的工作波长在700nm-900nm范围内。
5.根据权利要求1所述的一种硅基光电子一体化成像系统,其特征在于:所述的贵金属纳米粒子为金、银或铜。
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