[发明专利]一种高结晶质量聚吡咯导电薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种高结晶质量聚吡咯导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：

步骤1、配制质子酸溶液，溶剂使用去离子水；

步骤2、称取氧化剂溶解于上述酸溶液中，充分搅拌使其完全溶解；

步骤3、取吡咯单体滴入上述溶液中，逐渐可观察到液面有聚吡咯薄膜形成，随着聚合时间的增加，薄膜愈发明显，反应在恒温下进行；

步骤4、用洁净的衬底将步骤3生成的薄膜从液面捞出，用去离子水清洗，以除去薄膜表面的反应溶液残留；

步骤5、步骤4所得薄膜烘干后即可得到高结晶质量聚吡咯薄膜, 制备得到的高结晶质量聚吡咯导电薄膜的XRD图谱中有两个明显的衍射峰，峰宽均小于1°。

2.根据权利要求1所述的高结晶质量聚吡咯导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤1中所述质子酸为盐酸、硫酸、高氯酸、十二烷基苯磺酸或樟脑磺酸。

3.根据权利要求1所述的高结晶质量聚吡咯导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤1中所述质子酸溶液pH值范围为0.5—3。

4.根据权利要求1所述的高结晶质量聚吡咯导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤2中所述氧化剂为过硫酸铵、高锰酸钾、过氧化氢或三氯化铁。

5.根据权利要求1所述的高结晶质量聚吡咯导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤2中所述溶液中氧化剂浓度范围为0.01—0.1 mol/L。

6.根据权利要求1所述的高结晶质量聚吡咯导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤3中通过控制变量法，即首先确定吡咯单体的量，然后改变氧化剂的浓度来调节薄膜的生长速度和氧化程度，吡咯单体的体积大于0小于10μL。

7.根据权利要求1-6中任何一项所述的高结晶质量聚吡咯导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤3中的反应时间范围为1—60 min；或者/和，步骤3中选择反应温度的范围为0—60 ℃。

8.根据权利要求7所述的高结晶质量聚吡咯导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤4中所述衬底为玻璃、硅片、云母或聚酰亚胺。

9.一种高结晶质量聚吡咯导电薄膜，其特征在于：使用权利要求1-8中任何一项所述的制备方法制备。

10.一种电极，其特征在于：其材质包括权利要求9所述的高结晶质量聚吡咯导电薄膜。