[发明专利]MRAM存储阵列温度自检测方法、存储控制方法和系统

权利要求书

1.一种MRAM存储阵列温度自检测方法，其特征在于，所述方法包括：

为第一存储阵列分区分配对应的写错误检测区域地址和读错误检测区域地址；

生成多个随机数组，将所述多个随机数组中的每一个随机数组分别在写错误检测区域地址对应的第一存储阵列中执行一次读写操作，得到所述第一存储阵列的写错误率测量值；

生成固定数组，将所述固定数组写入读错误检测区域地址对应的第二存储阵列中，执行多次读操作，得到所述第二存储阵列的读错误率测量值；

根据写错误率基础值、读错误率基础值、所述写错误率测量值和所述读错误率测量值，判断所述第一存储阵列和第二存储阵列所属的第一存储阵列分区当前的温度范围；

所述写错误率基础值和所述读错误率基础值为MRAM存储阵列正常工作时的写错误率值和读错误率值。

2.根据权利要求1所述的MRAM存储阵列温度自检测方法，其特征在于，所述方法还包括：

改变所述写错误检测区域地址和所述读错误检测区域地址为第二存储阵列分区的地址，按照与第一存储阵列分区相同的步骤实现对第二阵列分区的温度检测。

3.根据权利要求1所述的MRAM存储阵列温度自检测方法，其特征在于，所述生成多个随机数组，将所述多个随机数组中的每一个随机数组分别在写错误检测区域地址对应的第一存储阵列中执行一次读写操作，得到所述第一存储阵列的写错误率测量值，包括：

S101：生成一个随机数组，记为第一数组；

S102：将所述第一数组写入所述写错误检测区域地址对应的第一存储阵列中；

S103：读取所述第一存储阵列中的数据，得到第二数组；

S104：比较所述第一数组与所述第二数组，在所述第一数组与所述第二数组不一致时记录一次写错误次数；

S105：重复步骤S101-S104 j次；

S106：根据所记录的写错误次数和重复次数j计算得到所述第一存储阵列的写错误率测量值。

4.根据权利要求3所述的MRAM存储阵列温度自检测方法，其特征在于，所述生成固定数组，将所述固定数组写入读错误检测区域地址对应的第二存储阵列中，执行多次读操作，得到所述第二存储阵列的读错误率测量值，包括：

生成一个固定数组，记为第三数组；

将所述第三数组写入所述读错误检测区域地址对应的第二存储阵列中；

重复读取y次所述第二存储阵列中数据，得到y个第四数组；

将每个第四数组分别与所述第三数组比较，在所述第三数组与所述第四数组不一致时记录一次读错误次数；

根据所记录的读错误次数和重复读取次数y计算得到所述第二存储阵列的读错误率测量值。

5.根据权利要求4所述的MRAM存储阵列温度自检测方法，其特征在于，所述根据写错误率基础值、读错误率基础值、所述写错误率测量值和所述读错误率测量值判断所述第一存储阵列和第二存储阵列所属的第一存储阵列分区当前的温度范围，包括：

比较所述写错误率基础值、所述读错误率基础值、所述写错误率测量值和所述读错误率测量值；

若所述写错误率测量值小于或等于所述写错误率基础值，且所述读错误率测量值小于等于所述读错误率基础值，则所述存储阵列所属的第一存储阵列分区温度处于额定工作温度范围；

若所述写错误率测量值大于所述写错误率基础值，且所述读错误率测量值小于等于所述读错误率基础值，则所述存储阵列所属的第一存储阵列分区温度低于额定工作温度范围；

若所述读错误率测量值大于所述读错误率基础值，则所述存储阵列所属的第一存储阵列分区温度高于额定工作温度范围。