[发明专利]集成电路、光电侦测器以及形成集成电路的方法在审
| 申请号: | 202011451846.9 | 申请日: | 2020-12-10 |
| 公开(公告)号: | CN113053925A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
| 发明(设计)人: | 刘陶承;洪蔡豪;陈盈薰 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
| 地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 集成电路 光电 侦测 以及 形成 方法 | ||
一种集成电路、光电侦测器以及形成集成电路的方法,集成电路包括光电侦测器。光电侦测器包括圆形光栅,此光栅形成在半导体基板中的环形沟槽中。圆形光栅包括定位在环形沟槽中的多个介电鳍片及多个光敏鳍片。圆形光栅配置用以接收入射光,并引导入射光围绕环形沟槽穿过多个介电鳍片及多个光敏鳍片,直至光被多个光敏鳍片中的一者吸收为止。
技术领域
本揭示案是关于一种集成电路、一种光电侦测器以及形成集成电路的方法。
背景技术
本揭示案是关于集成电路光子元件的领域。本揭示案特定言之是关于集成电路内的光电侦测器。许多光子集成电路包括光电侦测器。光电侦测器侦测光并产生指示此光的电信号。若光电侦测器未吸收入射光,则即使光入射在光电侦测器上,光电侦测器将亦不会产生电信号。此表示光电侦测器缺乏灵敏度。
发明内容
本揭示案提供了一种集成电路,包含半导体基板、环形沟槽、多个介电鳍片和多个光敏鳍片。环形沟槽在半导体基板中。多个介电鳍片在环形沟槽中。多个光敏鳍片定位在环形沟槽中,每一光敏鳍片在两个相邻的介电鳍片之间,其中多个介电鳍片及多个光敏鳍片配置作为圆形光栅,圆形光栅配置用以引导入射光围绕环形沟槽。
本揭示案提供了一种光电侦测器,包含半导体基板和圆形光栅。圆形光栅形成在半导体基板中。圆形光栅包括多个介电鳍片和多个光敏鳍片。每一光敏鳍片定位在相邻的多个介电鳍片之间。
本揭示案提供了一种形成集成电路的方法,包含以下操作。在半导体基板中形成环形沟槽。在环形沟槽中形成多个介电鳍片。在环形沟槽中形成多个光敏鳍片,每一光敏鳍片定位在相邻的多个介电鳍片之间。
附图说明
图1为根据一个实施例的集成电路的方块图;
图2为根据一个实施例的处在制造的中间阶段的集成电路的横截面图;
图3A为根据一个实施例的处在制造的中间阶段的集成电路的横截面图;
图3B为根据一个实施例的图3A的集成电路的俯视图;
图4为根据一个实施例的处在制造的中间阶段的集成电路的横截面图;
图5A为根据一个实施例的处在制造的中间阶段的集成电路的横截面图;
图5B为根据一个实施例的图5A的集成电路的俯视图;
图5C为根据一个实施例的图5B的集成电路的一部分沿横截线5C的横截面图;
图6A为根据一个实施例的处在制造的中间阶段的集成电路的横截面图;
图6B为根据一个实施例的图6A的集成电路的俯视图;
图6C为根据一个实施例的图6B的集成电路的一部分沿横截线6C的横截面图;
图7为根据一个实施例的处在制造的中间阶段的集成电路的横截面图;
图8A为根据一个实施例的处在制造的中间阶段的集成电路的横截面图;
图8B为根据一个实施例的图8A的集成电路的俯视图;
图9为根据一个实施例的集成电路的横截面图;
图10为根据一个实施例的用于形成集成电路的方法的流程图。
【符号说明】
100:光子系统
101:集成电路
102:光电侦测器
104:半导体基板
106:圆形光栅
108:介电鳍片
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





